直拉硅单晶位错与微缺陷的产生原理及其检测方法

• 作者: 刘俊飞 李孟
• 来源期刊: 物理通报
• 关键词: 单晶 缺陷 位错 腐蚀
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 物理·技术·应用
• 页码范围: 121-123
• 页数: 3页
• 字数: 1504字
• 语种: 中文

摘要

详细介绍了直拉单晶位错和微缺陷的产生原理,以及位错与微缺陷的一种检测方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李孟		1	0	0.0	0.0
2	刘俊飞		1	0	0.0	0.0