宽带低噪声放大器单片微波集成电路

• 作者: 刘帅 宋学峰 戴剑 要志宏 赵瑞华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器 宽带 行波
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 259-263
• 分类号: TN43|TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.04.004

摘要

从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2～ 20 GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器.该款放大器由九级电路构成.为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电.测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5 V工作电压下,能够在2～20 GHz频率内实现小信号增益大于16 dB,增益平坦度小于±0.5 dB,输出P-1 dB大于14 dBm,噪声系数典型值为2.5 dB,输入和输出回波损耗均小于-15 dB,工作电流仅为63 mA,低噪声放大器芯片面积为3.1 mm×1.3 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	要志宏	中国电子科技集团公司第十三研究所	16	48	4.0	6.0
2	宋学峰	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	13	2.0	3.0
3	赵瑞华	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	39	3.0	5.0
4	刘帅	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	21	2.0	4.0
5	戴剑	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	10	1.0	1.0