液相法制备GaN单晶体研究进展

• 作者: 王再恩 贾振宇 齐成军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN单晶 液相法 高压溶液法 Na助溶剂法 氨热法
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 161-167
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.03.001

摘要

回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展.液相法可以制备相比于气相法更高质量的GaN晶体.其中HPNSG可以制备位错密度低于102cm-2的GaN晶体,氨热法可以生产出高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)GaN晶体,重点介绍了Na助溶剂法的生长设备及最新研究成果,目前该方法已经可以生长直径超过2 cm、高度约为1.2 cm的无位错块体GaN晶体.对液相法生长GaN晶体的应用前景进行了预测,认为液相法制备的高质量GaN晶体作为大功率、高可靠性GaN电子器件理想衬底,会发挥越来越重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐成军	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	0	0.0	0.0
2	王再恩	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	0	0.0	0.0
3	贾振宇	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0