直拉区熔联合法硅单晶生长技术研究

• 作者: 刘洪 庞炳远 索开南 董军恒 闫萍
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉 区熔 硅单晶 电阻率
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 3138字
• 语种: 中文

摘要

通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm(2英寸)N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2.71～5.35Ω·cm,少子寿命为500～750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.实验表明,通过直拉工艺和区熔工艺联合方式研制的低阻硅单晶具有电阻率控制准确、氧碳含量低、工艺易于实施等特点.同时,对直拉区熔联合法生长单晶的技术特点进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	索开南	中国电子科技集团公司第四十六研究所	17	27	3.0	4.0
2	闫萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	16	35	4.0	5.0
3	庞炳远	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	3.0
4	董军恒	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	8	2.0	2.0
5	刘洪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	9	2.0	2.0