超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜特性

• 作者: 吴次南 张青竹 许静 赵利川 闫江 高建峰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化物 尖峰 界面 热稳定 快速热退火(RTA)
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 370-376
• 分类号: TN304.055
• 字数: 4308字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.011

摘要

通过研究超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜的特性,提出采用310℃/60 s与480℃/10 s两步快速热退火(RTA)的工艺方案,形成的Ni (Pt)硅化物薄膜电阻率最小,均匀性最好,且在600℃依然保持形态稳定.应用此退火条件,Ni0.86Pt0.14在0.5 μm和22 nm CMOS结构片中形成覆盖均匀且性能良好的金属硅化物薄膜,同时没有形成任何尖峰.对于更薄的硅化物,实验结果表明,2 nmNi0.86Pt0.14形成的超薄硅化物界面平整,均匀性好,没有在界面出现Ni0.95Pt0.05金属硅化物的“倒金字塔形”尖峰.结果显示,比较在有、无氩离子轰击的硅表面形成的两种Ni (Pt) Si硅化物薄膜,后者比前者电阻率约低10％～26％,该工艺有望在未来超薄硅化物制作被广泛应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴次南	贵州大学电子信息学院	43	115	7.0	8.0
2	高建峰	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	14	127	8.0	11.0
3	许静	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	11	37	4.0	5.0
4	张青竹	贵州大学电子信息学院	4	8	1.0	2.0
6	赵利川	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	1	1.0	1.0