CMP抛光液对TiO2薄膜表面粗糙度的影响

• 作者: 刘玉岭 张玉峰 李若津 杜旭涛 段波 王胜利
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化钛薄膜 碱性抛光液 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 原子力显微镜(AFM)
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 841-845
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.009

摘要

采用自主配制的碱性抛光液对TiO2薄膜进行了化学机械抛光(CMP),研究了在TiO2薄膜CMP加工过程中,碱性抛光液中的SiO2磨料、螯合剂、表面活性剂的体积分数和抛光液pH值对TiO2薄膜表面粗糙度的影响,并进行了参数优化.实验结果表明,在一定的抛光条件下,选用SiO2磨料体积分数为20％、螯合剂体积分数为1.0％、非离子表面活性剂体积分数为5.0％和pH值为9.0的碱性抛光液,抛光后TiO2薄膜表面没有划痕等抛光缺陷,表面粗糙度为0.308 nm,TiO2薄膜去除速率为24 nm/min,在保证抛光速率的同时降低了TiO2薄膜表面粗糙度,满足工业化生产要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王胜利	河北工业大学微电子研究所	26	107	6.0	8.0
3	段波	河北工业大学微电子研究所	3	11	3.0	3.0
4	李若津	河北工业大学微电子研究所	3	12	3.0	3.0
5	张玉峰	河北工业大学微电子研究所	5	12	3.0	3.0
6	杜旭涛	河北工业大学微电子研究所	2	4	1.0	2.0