基于90 nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计

• 作者: 张斌 王维波 谢仁贵 陶洪琪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分布式 漏极 无源 超宽带 低功耗
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 808-811,860
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.002

摘要

基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计了一款18～100 GHz的超宽带无源漏极混频器,混频器采用了均匀分布式结构,通过牺牲延迟来获得超宽带带宽.同时,提出了一种栅极电压优化技术,通过优化偏置电压VGS来最小化CMOS混频器的传输损耗.混频器带宽为18～100 GHz,带宽内变频损耗为(4±1) dB,端口隔离度优于15 dB,45 GHz处1 dB压缩点输入功率为4 dBm,芯片面积仅为0.36 mm2.该混频器在低功耗的环境下具有良好的变频损耗性能,非常适合用在低功耗的通信系统当中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王维波		7	15	3.0	3.0
2	张斌		25	123	7.0	10.0
3	陶洪琪		7	29	3.0	5.0
4	谢仁贵		1	2	1.0	1.0