3300 V-10 A SiC肖特基二极管

• 作者: 倪炜江
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 肖特基二极管 高压 电流密度 击穿电压
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 822-825
• 分类号: TN311.7|TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.005

摘要

利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管.器件的正向电压为1.7V时,电流达到10.3A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2.在3 300 V反向偏置电压下反向漏电流为226 μA.测试同一晶圆上的pn二极管显示,设计的场限环结终端击穿电压可以达到4 000 V,达到仿真结果的95％.分析发现肖特基二极管的漏电流主要由肖特基接触的热场电子发射产生,有源区的肖特基接触线宽直接影响器件的正向电流密度和反向漏电流.设计合适的肖特基接触宽度是实现高性能器件的关键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪炜江		2	4	1.0	2.0