磁控溅射ITO薄膜结构和性能的研究

• 作者: 唐文虎 杨洪星 陈晨
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: ITO 薄膜 氧氩比 溅射时间
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 8-13
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3613字
• 语种: 中文

摘要

利用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜，研究了在衬靶间距为60mm、衬底温度为350℃、溅射功率为120W、溅射气压为0.2Pa的条件下，氧氩比(O2/Ar)、溅射时间对ITO薄膜表面形貌、膜厚、沉积速率及光电性能的影响。通过实验和分析，最终确定了在玻璃衬底上制备ITO薄膜的最佳氧氩比和溅射时间：氧氩比为0.4：40，溅射时间为45min，获得了方阻为2.55Ω/□,电阻率为1.46×10-4Ω·cm ，可见光范围内平均透过率为81.2%的薄膜。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
2	陈晨	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	3	1.0	1.0
3	唐文虎	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0