含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程

• 作者: 于宝旗 朱兆旻 赵青云
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 漏电流 弹道效应 玻耳兹曼输运方程 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于电荷的模型
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 679-683
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.009

摘要

提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程.弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度.对平均速度的求解没有采用任何近似,并采用一种平滑的拟合方程将弹道迁移率和常规迁移率整合在一起.同时还研究了纳米尺度GaAsHEMT中温度、沟道长度和沟道掺杂浓度对有效迁移率的影响.最后,把有效迁移率模型和电流方程分别与实验数据和数值仿真结果进行比较,误差小于5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱兆旻	江南大学物联网工程学院	11	20	3.0	4.0
2	赵青云	江南大学物联网工程学院	5	0	0.0	0.0
3	于宝旗	江南大学物联网工程学院	4	0	0.0	0.0