一种低温漂低功耗带隙基准的设计

• 作者: 冯全源 唐宇
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 电流源 低温漂 温度系数 低功耗 仿真
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 2642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.02.009

摘要

基于UMC 0.25 μm BCD工艺,设计了一个低温漂低功耗的基准源.针对传统放大器反馈结构带隙基准中运放输入失调较大以及输出阻抗较高的问题,通过改进电路将这两者降低,产生低温漂的基准电压;结合基准核心电路产生的负温度系数电压和多晶电阻的负温度系数特性,利用简单的电路实现基准电流源.仿真结果表明,在40～+125℃,基准电压温度系数为15×104/℃,基准电流为1.02μA,低频时电路电源抑制比为-84 dB,整体静态电流仅为12.8 μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	唐宇	西南交通大学微电子研究所	5	38	2.0	5.0