金属电迁移测试过程中的电介质击穿效应

• 作者: 于赫薇 周柯 尹彬锋 钱燕妮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属电迁移 短路失效模式 析出效应 时间依赖性电介质击穿(TDDB)效应 瞬时电介质击穿(TZDB)效应
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 314-318
• 分类号: TN407|TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.04.012

摘要

金属互连电迁移有断路失效和短路失效两种常规失效模式,其中短路失效是由于发生了析出效应.目前对电迁移断路失效的研究较多,但是对于析出效应(短路失效)的研究较少.研究发现在金属电迁移析出效应监测过程中易产生两种电介质击穿效应,分别为在实验刚开始发生的瞬时电介质击穿(TZDB)效应和测试过程中产生的时间依赖性电介质击穿(TDDB)效应.此外,电介质层材料的介电常数值越高,其耐电介质击穿的能力越高.析出效应的监测电场强度的设定值应该同时考虑电介质层材料与测试结构的特性,监测电场强度的设定范围建议为0.15～0.24 MV/cm,以防止在析出效应监测过程中发生电介质击穿,混淆两种不同的失效机理,造成误判.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱燕妮		2	0	0.0	0.0
2	尹彬锋		3	2	1.0	1.0
3	周柯		3	2	1.0	1.0
4	于赫薇		2	0	0.0	0.0