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摘要:
提出一种新的电压基准结构.利用工作在亚阈值区的MOS管,产生与T2相关的电流进行温度补偿.采用电压预调节结构,改善PSRR.设计了一种低温漂、高PSRR的基于阈值电压的电压基准源.采用SMIC 0.18 μm 1P6M工艺对电路进行设计,最小输入电源电压为1.8V,输出基准电压为0.835 V.仿真结果表明,在0℃~125℃范围内,温度系数为4.49×10-5/℃,PSRR在低频时为92 dB,在1 MHz时为86.7 dB,静态电流为11.8 μA.
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文献信息
篇名 基于阈值电压的电压基准源设计
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 电压基准源 阈值电压 温度系数 电源抑制比
年,卷(期) 2015,(5) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 581-584,589
页数 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘章发 北京交通大学电子信息工程学院 19 67 5.0 7.0
2 邹谆谆 北京交通大学电子信息工程学院 1 6 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
电压基准源
阈值电压
温度系数
电源抑制比
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
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