K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响

• 作者: 司华青 张颖武 徐永宽 程红娟 练小正 齐海涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硫化镉 单晶 氯化钾掺杂 光学特征 电学特征
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 846-849
• 分类号: TN304.25
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.11.009

摘要

采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂CdS晶体,对掺杂和未掺杂的CdS晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对CdS晶体光学及电学性能的影响.生长时用KCl进行掺杂.显微观察显示,掺杂KCl后CdS晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中.红外光谱透过率发现掺杂K元素的CdS晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5～ 10 μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15％.另外,K元素掺杂CdS晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/ (V·s)下降为146 cm2/ (V·s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	张颖武	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	16	2.0	3.0
3	齐海涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	30	3.0	4.0
4	徐永宽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	57	4.0	6.0
5	练小正	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	9	1.0	2.0
6	司华青	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	0	0.0	0.0