近红外波段Ge光电探测器的研究进展

• 作者: 柯星星 王桂磊 罗军 赵超
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光通信 单片集成 Ge 光电探测器 近红外
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 241-249
• 分类号: TN215
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.04.001

摘要

随着光通信技术的发展,如何制备能与Si基电路单片集成的响应波长在1.3和1.55 μm的高性能光电探测器成为研究热点.总结了SiGe组分变化的缓冲层技术、低温缓冲层技术以及选区外延这三种主流的Ge材料外延技术,介绍了pin结构、金属-半导体-金属(MSM)结构、雪崩光电二极管(APD)结构以及pin结构和MSM结构与光波导集成这四种不同结构的Ge光电探测器,并从这些不同结构的器件制备技术方面阐述了近红外波段Ge光电探测器的研究进展及其应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵超	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	35	208	9.0	13.0
2	罗军	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	51	222	8.0	12.0
3	柯星星	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	1	4	1.0	1.0
4	王桂磊	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	7	2.0	2.0