一种n+/p+环接MOS电容的研制

• 作者: 崔金洪 潘光燃 郑玉宁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电容 金属-氧化物-半导体 耗尽区 突变区 波动幅度
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 53-57
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.011

摘要

电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛.为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现象,并提高MOS电容值的稳定性,提出了一种新型MOS电容的制作方法和连接结构.新结构是将传统MOS电容的一个n+电极更改为p+电极,这样可以使器件的输入电势极性更改前后都为栅氧电容,但在极性更替间,由于有耗尽层存在,电容仍会变小.将两个新结构MOS电容环接,即将其中一个电容的多晶硅层与另一个电容的阱相连接,并用金属连线引出电极,测试结果表明,与传统MOS电容相比,新型MOS电容提升了零电压附近突变区域电容最低值,减小了器件电流波动幅度,有利于提高器件的可靠性.