毫米波GaN基HEMT功率MMIC

• 作者: 付兴昌 宋建博 崔玉兴 张力江 方家兴 程知群 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 毫米波 模型 功率单片微波集成电路(MMIC) 人工神经网络
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 417-420,454
• 分类号: TN43|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.003

摘要

基于标准的SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺研制了毫米波段单片微波集成电路(MMIC)芯片.首先采用插入隔离层的方式得到复合沟道AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN HEMT结构.以EEHEMT模型作为粗糙模型,采用神经空间路线图的方法建立了人工神经网络模型,更好地表征了器件特性,提高了模型在毫米波下的精度.基于器件模型,进行了毫米波MMIC的设计,运用网络综合设计出简洁的电路拓扑和最优的宽带性能.芯片工艺采用0.2 μm介质栅场板结构提高器件的微波性能.研制的2级功率MMIC在27～ 30 GHz频段,工作电压25 V时,输出功率大于2.6W,功率附加效率大于15％,功率增益大于9 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
2	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
3	宋建博	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	8	2.0	2.0
4	程知群	杭州电子科技大学电子信息学院	54	172	6.0	10.0
5	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
6	张力江	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	32	3.0	5.0
7	方家兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	5	1.0	2.0