横向磁场中直拉硅单晶生长

• 作者: 李贺梅
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶炉 横向磁场 等效微重力
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 材料制造工艺与设备
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 2077字
• 语种: 中文

摘要

直拉法(CzochralskiTechnique)生长硅单晶是目前获得高质量大直径晶体的一种最常用工业化方法,在直拉法生长硅单晶过程中引入磁场可以有效抑制熔体对流,提高电阻率均匀性,控制氧含量、碳含量浓度,改善硅单晶微缺陷,从而获得高质量大直径硅单晶.主要介绍了熔体中的熔体对流、产生原因、磁场抑制熔体对流的原理,并以横向磁场为研究对象,分析了横向磁场的组成结构、工作原理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺梅	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	5	1.0	2.0