磁控溅射法制备的CZGex T1-x S薄膜的光电性能研究

• 作者: 任学明 李金泽 沈鸿烈
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: CZGexT1-xS薄膜 溅射 Ge损失 霍尔效应
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 太阳能利用技术
• 页码范围: 357-361
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.03.18

摘要

用先磁控溅射多层金属膜预置层后硫化的方法成功制备出CZGex T1-x S薄膜,并主要研究了Ge含量对于该薄膜光电学性能的影响.分别采用X射线衍射仪、X射线能量色散谱仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜,紫外-可见-近红外分光光度计和霍尔效应测量仪对不同Ge含量的CZGex T1-x S薄膜的物相结构、元素比例、表面形貌、光学带隙以及电学性能进行了表征与分析.结果表明随着Ge含量的升高,晶粒尺寸不断长大,光学带隙从1.52上升至2.12 eV.同时,Ge替换Sn可减少薄膜内的缺陷,所制备的CZGeS薄膜的载流子浓度与迁移率分别为1.99×1018 cm-3与9.712 cm2/Vs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	93	264	9.0	10.0
2	李金泽	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	9	21	3.0	4.0
3	任学明	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	2	4	1.0	2.0