射频磁控溅射法制备Cu2SnS3薄膜结构和光学特性的研究

• 作者: 刘丹丹 史成武 李学留 梁齐
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu2SnS3薄膜 射频磁控溅射 快速退火 晶体结构 光学特性
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 400-408
• 页数: 9页
• 分类号: TN304|O484
• 字数: 6119字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2017.04.10

摘要

利用射频磁控溅射法并经快速退火处理制备Cu2SnS3薄膜,研究了使用SnS2、Cu2S混合靶(摩尔比分别为1∶1、1∶1.5、1∶2)及在不同溅射功率(40和80W)条件下所制备Cu2SnS3薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌和光学特性.结果表明:混合靶的SnS2、Cu2S最佳摩尔比为1∶1.5,利用该靶所制备薄膜均结晶;在溅射功率为80 W条件下,所制备薄膜结晶质量和择优取向度高,应变最小,Cu∶Sn∶S摩尔比为1.89∶1∶2.77,平均颗粒直径和平均粗糙度分别为332和0.742 nm,吸收系数达到104 cm-1,禁带宽度为1.32 eV.制备了n-Si/p-CTS异质结器件,器件具有良好的整流特性和光电流响应特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史成武	合肥工业大学化学与化工学院	43	476	11.0	20.0
2	梁齐	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	47	197	7.0	10.0
3	李学留	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	6	23	3.0	4.0
4	刘丹丹	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	9	22	3.0	4.0