一种用于ESD保护的双向SCR特性研究

• 作者: 刘凡 刘志伟 刘继芝 成辉 纪长志 黄晓宗
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: ESD 堆叠双向SCR 维持电压
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 43-47,52
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170135

摘要

基于0.35 μm CMOS混合信号工艺,实现了一种用于ESD保护的MDDSCR器件.通过堆叠MDDSCR单元来调整维持电压,结合TLP测试结果,说明了关键尺寸和不同的衬底连接方式对器件特性的影响.堆叠DDSCR正向触发电压(Vt1)和维持电压(VH)随着堆叠器件数量的增加而线性增加,但因为存在额外寄生通路,负向Vt1和VH分别维持在20 V和6V左右.该器件可实现6 kV以上HBM ESD保护能力,广泛应用于汽车电子、无线基站、工业控制等电源或者信号端的双向ESD保护.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘凡	电子科技大学微电子与固体电子学院	7	14	2.0	3.0
3	黄晓宗	电子科技大学微电子与固体电子学院	7	28	2.0	5.0
5	刘继芝	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	30	4.0	5.0
6	刘志伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	29	3.0	5.0
11	纪长志	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	1	1.0	1.0
12	成辉	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	1	1.0	1.0