一种背面深槽填充P型多晶硅RC-IGBT

• 作者: 孙旭 陈星弼
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 无电压折回 背面深槽 P型多晶硅 开关损耗
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 830-833
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 1388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180027

摘要

提出了一种新型RC-IGBT,在背面阳极处设置了填充重掺杂P型多晶硅的深槽和FOC浮空电极.器件正向导通时,利用重掺杂P型多晶硅与N型衬底的接触电势差,将槽间的N型衬底部分耗尽,增强了阳极PN结的短路电阻,在较短背面阳极尺寸的条件下实现了RC-IGBT在开启过程中不出现电压折回现象.在器件反向开启过程中,空穴电流经过FOC浮空电极流入P型多晶硅,降低了多晶硅与N型衬底之间的势垒,提高了反向二极管的开启速度,降低了开启过程中二极管的过充电压.仿真结果表明,提出的新型RC-IGBT完全消除了电压折回现象,反向电流的均匀性得到了提高.相比于传统RC-IGBT,该新型RC-IGBT的元胞背面尺寸减小了88.89％,关断损耗降低了26.37％,反并联二极管的反向恢复电荷降低了13.12％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星弼	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	31	254	8.0	15.0
2	孙旭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	34	4.0	5.0