金刚石基GaN HEMT技术发展现状和趋势

• 作者: 赵金霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件 制造技术
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 321-328,334
• 页数: 9页
• 分类号: TN386|TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.001

摘要

采用金刚石衬底可显著提升GaN微波功率器件的散热能力, 从而制作尺寸更小、功率更高的金刚石基GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件.介绍了金刚石基GaN HEMT技术优势.综述了金刚石基GaN HEMT的金刚石衬底生长、金刚石与GaN HEMT层结合、金刚石/GaN界面优化等制造技术的研发现状, 并概述了金刚石基GaN微波功率器件的最新研究进展.最后分析了金刚石基GaN HEMT制造技术面临的挑战和未来的发展趋势, 表明制作低成本大尺寸金刚石衬底材料、提升GaN/金刚石界面热阻以及大幅提升金刚石基GaN器件的性能并在射频功率器件领域实现商用将是未来发展的重点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵金霞	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	7	1.0	2.0