界面粗糙度对硅通孔结构界面分层的影响

• 作者: 张立文 李智 李阳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 界面粗糙度 硅通孔(TSV) 界面分层 能量释放率 热应力
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 641-646
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.08.012

摘要

硅通孔(TSV)结构是三维互连封装的核心,针对其热可靠性问题,基于ANSYS有限元分析软件分别构建光滑和粗糙两种界面形貌的TSV结构分析模型,模拟计算了两种界面下TSV结构的热应力和界面分层裂纹尖端能量释放率,通过对比分析研究了界面粗糙度对TSV结构界面分层的影响.结果 表明,温度载荷下粗糙界面上热应力呈现出明显的周期性非连续应力极值分布,且极值点位于粗糙界面尖端点.界面分层裂纹尖端能量释放率也呈周期性振荡变化.降温下,粗糙界面尖端点附近能量释放率明显大于光滑界面稳态能量释放率;升温下,粗糙界面能量释放率总体上呈现出先增大后减小的变化趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立文	河南科技大学电气工程学院	31	250	7.0	15.0
2	李阳	河南科技大学电气工程学院	16	30	4.0	5.0
3	李智	河南科技大学电气工程学院	5	1	1.0	1.0