沟槽式肖特基用高均匀性硅外延支撑层高速生长工艺研究

• 作者: 李明达 李普生 王楠 赵扬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硅外延层 高速沉积 厚度 电阻率 均匀性 晶体缺陷
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 51-57
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 字数: 4627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.02.009

摘要

作为沟槽式肖特基芯片的关键支撑层,硅外延层的性质对芯片性能构成重要影响.系统探索了新式高速外延生长工艺制备硅外延层的方法.通过干涉显微镜、FT-IR、Hg-CV对硅外延层性质进行表征.研究了高速外延生长条件下的厚度均匀性、电阻率均匀性、表面完整性与外延反应流场、热场的作用规律.研究结果表明,通过基座高度的调制、加热功率的分配、预先基座包硅、本征覆盖层生长等综合手段解决了外延层边缘参数控制问题,并实现了最高6.6μm/min的生长速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明达	中国电子科技集团公司第四十六研究所	21	34	4.0	4.0
2	赵扬	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	4	2.0	2.0
3	李普生	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	11	2.0	3.0
4	王楠	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	7	2.0	2.0