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摘要:
通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量.与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上.为了验证该加工流程对晶片参数的影响,研究了InP晶锭表面起伏对晶片厚度一致性、翘曲度、弯曲度等几何参数的影响.实验结果表明,在切割参数相同的情况下,采用本加工技术获得的晶片厚度一致性较差,造成参数恶化的原因是晶锭表面起伏使钢线在接触晶锭表面时可能出现位移.通过在晶锭表面粘接特殊的板补偿晶体表面起伏,改善了晶片厚度一致性.本方法可以在保证生产质量合格的成品晶片的同时,大幅度提高晶锭最终出片面积.
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文献信息
篇名 不同直径InP晶锭混合加工技术
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 InP 激光切割 混合加工技术 标准直径 出片面积
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目 半导体制造技术
研究方向 页码范围 390-395,408
页数 7页 分类号 TN304.23
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.05.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨洪星 中国电子科技集团公司第四十六研究所 50 145 6.0 8.0
2 张伟才 中国电子科技集团公司第四十六研究所 22 42 4.0 4.0
3 索开南 中国电子科技集团公司第四十六研究所 17 27 3.0 4.0
4 史艳磊 中国电子科技集团公司第十三研究所 2 0 0.0 0.0
5 孙聂枫 中国电子科技集团公司第十三研究所 11 39 4.0 5.0
6 徐森锋 中国电子科技集团公司第十三研究所 2 4 1.0 2.0
7 刘惠生 中国电子科技集团公司第十三研究所 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
InP
激光切割
混合加工技术
标准直径
出片面积
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
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18-65
1976
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