SiC MOSFET并联动态电流不均衡的无源补偿策略

• 作者: 朱梓悦 秦海鸿 潘国威 陈迪克
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: SiC MOSFET 并联 动态均流特性 无源补偿策略 寄生电感
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件|Semiconductor Devices
• 页码范围: 712-718
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.09.009

摘要

SiC MOSFET分立器件的并联结构已在中大功率应用中广泛使用,为了充分利用并联的优势,需解决并联动态电流不均衡问题.在SiC MOSFET特性参数中,阈值电压是影响并联动态均流特性最主要的参数.通过建立SiC MOSFET双管并联的电路模型,探究了并联动态电流不均衡的补偿策略,推导了阈值电压对SiC MOSFET开关管动态均流程度影响的公式.建立了含寄生电感的双管并联电路模型,提出了两种双管并联动态电流不均衡的无源补偿策略,即基于共源极寄生电感的补偿策略以及基于开尔文源极电感和功率源极寄生电感并联的补偿策略.通过仿真比较了两种无源补偿策略下的开关总损耗.最后,优化了基于开尔文源极电感和功率源极寄生电感并联的补偿策略,并通过双脉冲实验验证了此并联补偿策略下的动态均流效果.