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半导体技术2018年第12期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 设计了一种用于低功耗2.4 GHz无线物联网(IOT)芯片的电源管理系统,用于极低功耗物联网,如智能家居、工业控制、农业自动化等领域.该芯片在高功率和低功率两种模式下分别采用了不同的低压差线...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 设计了一种带有二阶温度补偿的高精度带隙基准电压源电路.相比传统带隙基准电路,所设计的电路不仅进行了一阶温度补偿,在高温阶段增加了与一阶温度补偿基准电压的温度系数呈负相关的曲率补偿电流,通过电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 采用GaAs pin二极管和低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)集成的一片式限幅低噪声放大器(LNA)工艺,设计并制备了一款Ka波段GaAs微波单片集成电路(MMIC)限幅LN...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 功率器件结温预测对于器件的寿命评价具有重要意义,而材料的热效应是影响结温预测结果的关键因素之一.基于此,提出了一种考虑热效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热网络模型建模方法,可提高IGBT...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿.为了提高AlGaN/Ga...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 微电子机械系统(MEMS)传声器是一种将音频信号转换为电信号的微型传感器.为了得到较高灵敏度和信噪比(SNR)的传声器,同时又能保证其可靠性,设计并制备了一种结构优化的电容式硅基MEMS传声...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 对硬脆材料氮化镓(GaN)单晶的机械研磨和化学机械抛光(CMP)加工工艺进行了研究.在机械研磨工艺中,研究了不同材料的研磨盘和不同粒径的磨料对GaN研磨时间的影响.实验结果表明,采用树脂铜盘...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200 mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素.采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 提出了一种考虑性能退化因素的IGBT模块可靠性度量模型,该模型以广义应力-强度干涉模型为基础,同时考虑了应力和强度间的相关性以及使用过程中强度的退化性问题.分析了IGBT模块失效原因和失效类...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的“陷阱”,会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻.对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU).通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 针对在传统印刷电路板(PCB)中埋置光波导结构而引发的集热问题,开展埋置结构光电印制板(OEPCB)的散热分析研究与优化.首先构造埋置结构OEPCB的导热模型,然后采用有限差分方法求解传热方...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要： 高压大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的不同封装形式(压接型IGBT器件和焊接式IGBT模块)使其热学特性尤其是散热路径存在很大差异,最终可能会影响结温测量方法的适用性和准确性.基于有...
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14. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年12期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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