SiC MOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性评估

• 作者: 周伟成 张斌 蒋多晖 郭清
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET) 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 高温 稳定性 可靠性
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 936-940,963
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.12.010

摘要

碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的“陷阱”,会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻.对SiC MOSFET和GaN HEMT各选取了一款典型的商用器件,分别对SiCMOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性进行了测试.测试结果表明,SiC MOSFET的导通电阻变化量相对小,且应力停止后导通电阻可以恢复到初始状态,这说明其界面态陷阱密度比GaNHEMT更低,因此实际应用中无需考虑导通电阻的稳定性;而GaN HEMT的动态电阻变化较大,这极大地增加了导通损耗,影响系统的可靠性,因此在实际应用中需要考虑导通电阻变化对导通性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张斌	浙江大学电气工程学院	71	903	16.0	29.0
2	郭清	浙江大学电气工程学院	14	274	4.0	14.0
3	周伟成	浙江大学电气工程学院	4	78	3.0	4.0
4	蒋多晖	安徽电气工程职业技术学院电力工程系	2	1	1.0	1.0