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半导体技术2020年第11期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 对GaN HEMT瞬态结温测试中应用最广泛的3种光学测温技术进行了综述,分析了3种光学测试技术的优势和局限性.红外测温技术测试速度快、效率高,适用于大批量产品的筛选测试等,但是其响应时间为1...
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2. 一种单引脚修调电路的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 使用一次可编程结构对关键参数进行修调是提升集成电路精度及成品率的一种常用方法.但是,传统的修调电路采用I2C等通信协议来控制修调过程,需要占用较多的集成电路引脚资源.因此,提出了一种使用归零...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 通过提升功率传输效率和降低电路功耗,设计了一种适用于低功率微弱能量收集的DC-DC升压转换器.升压转换器主要包括核心电路、最大功率点跟踪(MPPT)电路、零电流开关(ZCS)转换电路、振荡器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 介绍了一种适用于宽带中频(IF)滤波器的运算放大器共模补偿方法,并将其应用于较大带宽有源RC滤波器中,如宽带宽接收机中频的电路和高频模数转换器抗混叠滤波器等.运算放大器通过前馈方式补偿共模次...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8～ 2.7 GHz的高线性驱动放大器.电路放大部分采用多胞合成技术,避免了工艺对栅宽的限制,同时可以提升输入和输出阻抗....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 针对IGBT芯片被封装在模块内部,芯片结温无法直接测量的问题,提出了基于思维进化算法(MEA)优化的反向传播(BP) (MEA-BP)神经网络算法的IGBT结温预测算法模型.首先,利用温敏电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 介绍了一种用于高功率高速GaN功率开关的全GaN栅驱动电路.该电路主要基于两个常开型GaN HEMT和一个自偏置电阻.根据该拓扑结构的门限效应,提出了集成脉冲宽度调制功能的全GaN栅极驱动器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 高温导致垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率滚降,功率转换效率降低.为了研究高环境温度中VCSEL的温度稳定性和功率转换效率,通过测试不同环境温度下不同氧化孔径波长850 nm VCS...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 研究了采用某款单片外延设备批量生长8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层Si外延片时芯片性能参数的变化.研究发现随着设备预防性维护(PM)后使用天数的增加,外延层厚度不均匀性变化很小,电阻率不...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性.通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 在集成电路多层Cu互连化学机械抛光(CMP)后清洗工艺中,需要去除CMP时Cu表面的生成物和残留物,并保护互连金属Cu与阻挡层金属不被腐蚀.研究了基于FA/OⅡ的碱性清洗液中抑制剂1,2,4...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 研究了新型缓蚀剂2,2'-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)和抛光液pH值对铜图形片(以Ru/TaN为阻挡层)化学机械平坦化(CMP)性能的影响.实验结果表明,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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