GaN HEMT瞬态结温光学测试技术及应用

• 作者: 黄先奎
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 瞬态结温 光学测试 光热反射
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 817-827
• 页数: 11页
• 分类号: TN307|TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.11.001

摘要

对GaN HEMT瞬态结温测试中应用最广泛的3种光学测温技术进行了综述,分析了3种光学测试技术的优势和局限性.红外测温技术测试速度快、效率高,适用于大批量产品的筛选测试等,但是其响应时间为13～16 μs,可能由于无法及时捕捉到器件的峰值温度而低估瞬态结温;微区拉曼光谱测温技术最佳时间分辨率为10 ns,可以有效测量器件的瞬态结温特性,由于采用点测温模式,其测量速度较慢,且难以实现对峰值温度点的定位及测试;光热反射测温技术具有最高800 ps的时间分辨率,采用成像形式对器件进行瞬态结温测试,其测试速度介于红外和微区拉曼光谱测温技术之间.随着光学测试技术的发展,不同测试技术的结合将为GaN HEMT瞬态结温的准确测量提供更加优化的方案,以满足不同的测试需求.