半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 傅月平 柴笑晗 牛刘敏 王军旗 秦丽 郑斗斗 郭卫军 马宗敏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  905-915,923
    摘要: 金刚石氮空位(NV)色心量子传感器相较其他量子传感器在灵敏度、集成难易度、工作适应性等方面具有优势,正在成为研究热点.在集成NV色心量子传感器研制过程中发现,微波场驱动NV色心能级间的电子跃...
  • 作者: 丁瑞雪 居水荣 朱樟明 石蓝
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  916-923
    摘要: 设计了一种逐次逼近寄存器型模数转换器(SAR ADC).提出了一种新型全动态钟控比较器结构,消除了比较器的亚稳态误差,解决了ADC输出不稳定的问题,实现了失调和噪声之间良好的折中,提升了AD...
  • 作者: 孔祥艺 李珂 臧凯旋 韩前磊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  924-930
    摘要: 基于双极型工艺设计了一种双通道轨到轨功率运算放大器,其功能模块包括:基准偏置、输入级、中间级和输出级电路.输入级电路采用两组npn、pnp型差分输入对管组成的轨到轨输入结构,配合电流开关电路...
  • 作者: 刘会东 朱宝石 朱思成 魏洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  931-935,956
    摘要: 基于0.15 μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC).该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提...
  • 作者: 曹连振 李秀圣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  936-942
    摘要: 为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研...
  • 作者: 李乐丹 王茹霞 胡加兴
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  943-947,956
    摘要: 研究了以硅钛氧化物复合薄膜为绝缘层、并五苯为半导体层的有机场效应晶体管(OFET),其中硅钛氧化物复合薄膜采用溶胶-凝胶法制备.采用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电子显微...
  • 作者: 彭俊彪 王俊生 肖胜安
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  948-956
    摘要: 提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性.首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MO...
  • 作者: 张晓朋 张欢 赵永瑞 高博 高思鑫
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  957-963
    摘要: 将基于InGaP/GaAs HBT工艺的高线性功率放大器芯片、CMOS控制芯片、输出匹配电路集成于双层基板,研制了一款工作在S波段的高效率、高谐波抑制功率放大器模组(MCM).通过在输出匹配...
  • 作者: 尤明慧 曲轶 李雪 王勇 祝煊宇 董明雪
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  964-968,981
    摘要: 采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导.使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表征和分析,研究了电流密度、掩模图形和刻蚀时间对定域性刻蚀制备的多...
  • 作者: 毕翘楚 王珺 赵之皓
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  969-975
    摘要: 按照JEDEC标准对一种含空腔的塑封微摄像头器件进行了吸湿试验和回流焊.分析了器件的失效模式,采用有限元法进行湿扩散、热传导和湿热应力模拟.模拟结果显示,器件空腔内压力达到饱和蒸气压且与湿热...
  • 作者: 丁有源 席善斌 黄杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  976-981
    摘要: 对基于GaAs异质结外延材料、0.15 μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积...
  • 作者: 张庆学 张欲欣 李逵 杨宇军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  982-987
    摘要: 基于硅通孔(TSV)结构的系统级封装(SiP)模块内部存在多个微焊点层,数量众多的微焊点与模块尺寸差异较大,使得建模时网格划分困难和仿真计算效率低.研究了TSV结构微焊点层的均匀化等效建模方...
  • 作者: 丁晨 刘岩 吴爱华 李灏 翟玉卫 郑世棋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年12期
    页码:  988-992
    摘要: 以功率二极管为实验对象,研究了大电流条件下脉冲法结温测量中校温曲线随电流变化的现象.通过搭建脉冲法校温曲线测量装置,在不同电流条件下开展了校温数据测试工作.测试结果显示,校温曲线随测试电流大...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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