半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8

半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
文章浏览
目录
  • 作者: 揭斌斌 薩支唐
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  397-409
    摘要: 场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避...
  • 作者: 于进勇 刘新宇 徐安怀 程伟 金智 齐鸣
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  414-417
    摘要: 成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×1.5μm的器件,其f...
  • 作者: 乔士柱 庞岩涛 张宁玉 许福运 赵俊卿 陈莹
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  418-422
    摘要: 为了利用有机三线态发光提高有机发光器件的发光效率,用磷光材料掺杂到聚合物主体中作为发光层,制备有机电致发光器件.在测量器件的电流-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱的基础上,计算了器件...
  • 作者: 冯军 李伟 王志功 王欢 章丽
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  484-489
    摘要: 采用标准0.25μm CMOS工艺实现了10GHz LC压控振荡器.为了适应高频工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了手动优化的带中心抽头的对称电感,将A-MOS变容二极管与无源金属-绝...
  • 作者: 刘玮 杨莲兴 肖磊
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  490-496
    摘要: 设计了一种新的用于电压控制振荡器的延迟单元,并与源级耦合差分延时单元的时钟抖动进行了比较.提出了基于低时钟抖动的锁相环环路参数的优化技术.在0.35μm CMOS工艺下进行1.25GHz S...
  • 作者: 唐蕾 张春玲 徐波 王占国 陈涌海
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  544-548
    摘要: 利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理...
  • 作者: 丁磊 许剑 钟传杰 韩郑生
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  559-562
    摘要: 在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会...
  • 作者: 刘军林 张萍 江风益 郑畅达
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  563-565
    摘要: 在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×...
  • 作者: 刘著光 吕英 吴正云 张峰 杨伟锋 蔡加法
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  570-573
    摘要: 采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单...
  • 作者: 吴亚明 张飞岭 穆参军
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  583-587
    摘要: 设计并制作了一种结构新颖的镜面尺寸为6mm×4mm的电磁驱动MEMS光学扫描镜.这种背面为微型铜驱动线圈的MEMS硅基扭转镜面沉浸在由包含永磁体的磁回路产生的磁场中,当电流信号通过驱动线圈时...
  • 作者: 何杰
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  606-609
    摘要: 信息科学不断发展,半导体科学学科的资助范围也随之不断进行微调.45纳米以下的微电子学器件与工艺探索为大家提供了广阔的研究空间;自下而上的纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊