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电子器件期刊
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电子器件

Chinese Journal of Electron Devices

CASACSTPCD

影响因子 0.6907
本刊主要向国内外介绍有关电子学科领域的新理论、新思想、新技术和具有国内外先进水平的最新研究成果和技术进展。本刊发扬学术民主，坚持双百方针，为促进国内外学术交流、促进电子科学技术快速发展和国民经济建设服务。 本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子... 更多
主办单位：
东南大学
期刊荣誉：
江苏省二级期刊  获《CAJ-CD规范》执行优秀奖 
ISSN：
1005-9490
CN：
32-1416/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210096
地址：
南京市四牌楼2号
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  • 91. 相变温控在电子设备上的应用研究进展
    作者： 周伟 张芳 王小群
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  344-348
    摘要： 随着电子设备中电子元器件功率不断变大,而物理尺寸却不断变小,热流密度不断增加,导致电子器件工作时温度过高,势必会影响电子元器件的性能,这就要求对其进行有效的温度控制.相变温控因其装置结构紧凑...
  • 92. 伪工作点与超宽带CMOS LC VCO设计
    作者： 宁彦卿 王志华 陈弘毅
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  349-352
    摘要： 为了拓宽CMOS LC VCO的频率覆盖范围,很多工作都集中在扩展LC谐振回路中的电容覆盖.但通过对该VCO在调频状态下的分析表明,除了LC乘积的覆盖范围,在改变输出频率时维持交叉耦合MOS...
  • 93. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型
    作者： 常远程 张义门 张玉明 曹全君 王超
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  353-355
    摘要： 对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是AlGaN/GaNHEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs...
  • 94. N型SiC的Ni基欧姆接触研究
    作者： ZHANG Jian 张义门 张玉明 郜锦侠 郭辉
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  356-360,364
    摘要： 对n型SiC的Ni基欧姆接触的机理进行了研究.通过在P型4H-SiC外延层上使用N离子注入来形成N阱,并在此基础上制作Ni/n型SiC欧姆接触的TLM结构,得到的比接触电阻约为1.7X10-...
  • 95. 超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质可靠性研究
    作者： 徐秋霞 钟兴华
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  361-364
    摘要： 实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠...
  • 96. 应用于802.11a的5.7GHz CMOS LNA设计
    作者： 景为平 袁志勇
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  365-369
    摘要： 使用0.18μmCMOS工艺设计应用于802.1laWLAN的U-NII高频段5.7GHz的LNA首先选取LNA结构,推导出噪声模型,然后选取在固定功率消耗下最小噪声系数对应的晶体管尺寸,再...
  • 97. 大容量超高压铝电解电容器的研究
    作者： 廖振华 徐永进 蒋晓华 赵方辉 陈建军
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  370-372
    摘要： 针对大型电子设备用大容量超高压铝电解电容器的特点,分析了此类电容器的设计原理,通过开发超高压工作电解液,进行防芯子变形设计,增加带孔圆形支承片,并采用覆盖铝片的设计来减少焊接点氧化膜损伤,研...
  • 98. 短沟道铝栅CMOS器件及工艺研究
    作者： 易扬波 赵少峰
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  373-375
    摘要： 利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CM0S器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模拟和...
  • 99. 陶瓷与金属电子器件的绿色活性封接技术
    作者： 庄鸿寿 曲文卿 齐志刚
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  376-379,383
    摘要： 陶瓷与金属的连接是电子产品生产的关键环节.由于陶瓷和金属的物化、力学性能上存在巨大差异,对连接技术要求非常苛刻.通过对陶瓷与金属的常用连接方法的比较分析,提出了一种绿色活性电子器件封接技术,...
  • 100. 用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计
    作者： 蒋东铭 赵亮 陆静学 黄风义
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  380-383
    摘要： 通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μmCMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的...
  • 101. GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs结构的选择湿法腐蚀
    作者： 杨克武 杨帆 杨瑞霞 武一宾 陈宏江
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  384-386,390
    摘要： 用a台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了...
  • 102. 螯合剂对酸性抛光液中铜离子沉积的影响
    作者： 刘玉岭 张西慧 杨春
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  387-390
    摘要： 研究了几种螯合剂减少金属铜在晶片表面沉积的作用.将晶片放人含有或不含螯合剂的酸性抛光液中浸泡10min,用GFAAS测定表面沉积铜的浓度.结果表明,PAA、HEDP和AMPS的加入都能明显减...
  • 103. PIN雪崩光电二极管建模及其特性的研究
    作者： 范辉 陆雨田
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  391-394,397
    摘要： 针对PIN雪崩光电二极管结构的特殊性,以载流子速率方程为基础,进行适当的假设和拟合,将光、电子量和转化过程完全用数学模型表示,并在Matlab中进行了模拟计算,其结果与实验数据符合较好.该模...
  • 104. 一次编程(OTP)存储器的数据保持特性工艺研究
    作者： 何永华 房世林 李月影
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  395-397
    摘要： 对0.5μm叠柵一次编程(OTP)存储器工艺进行研究,通过选择介质(ONO)工艺条件,选择合适单元尺寸,增加(SIN)保护,优化单元侧面工艺等,使得存储单元在250℃高温24h加速老化后写入...
  • 105. 下一代栅材料-难熔金属
    作者： 周华杰 徐秋霞
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  398-402
    摘要： 随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它可以很好的解决多晶硅...
  • 106. 0.35μm CMOS 4位1 Gsample/s全并行模数转换器设计
    作者： 孟桥 郝俊 高彬
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  403-406
    摘要： 介绍了一种基于0.35μmCMOS工艺的4位最大采样速率为1GHz的全并行结构模数转换器的设计.因为在高采样率的情况下,比较器的亚稳态问题降低了模数转换器的无杂散动态范围,在本次设计中对其进...
  • 107. NBTI效应及其对集成电路设计的影响
    作者： 周晓明 夏炎
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  407-410
    摘要： 可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应--P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介绍.给出了不同电压、温度下器件性能随时问变化趋势的最新研究...
  • 108. 低功耗0.35μm3.125 Gbit/s CMOS 4:1复接器
    作者： 冯军 管忻
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  411-414
    摘要： 采用CSM0.35μm CMOS工艺,设计了3.125 Gbit/s4:1复接器.系统采用树型结构,由两个并行的低速2:1复接单元和一个高速2:1复接单元级联而成.低速单元采用带有电平恢复的...
  • 109. 一种适用于高清视频解码的反离散余弦变换的VLSI实现
    作者： 陈杰 马旭
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  415-418
    摘要： 提出了一种面向视频处理应用的二维8X8IDCT(反离散余弦变换)处理器结构.该处理器设计利用了IDCT算法中的对称性,采用基于并行的乘累加器的结构加快处理速度.设计过程中对于有限位宽对运算结...
  • 110. 700 V VDMOS设计
    作者： 刘侠 孙伟锋 张健 杨东林
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  419-422
    摘要： 主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700VVDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给出基本的结构参数,并在此基础上通过数值模拟的方法进...
  • 111. 亚微米CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路改进设计
    作者： 夏炎 黄九洲
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  423-425
    摘要： 针对采用GG-NMOS结构ESD保护电路的IC芯片在实际应用中出现ESD失效现象,在不额外增加版图面积的情况下通过引入栅耦合技术对现有的ESD保护结构进行改进,并达到了预期效果.实验结果显示...
  • 112. 基于MEMS工艺的集成光纤连接器
    作者： 丁桂甫 姚锦元 张丹 戴旭涵 蔡玉丽 顾东华
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  426-429
    摘要： 一种基于MEMS技术的新型光纤连接器,在硅V型槽上方集成制造电沉积镍薄膜金属盖板,其两端喇叭口形导引通道方便光纤插拔,中间平直部分的夹持通道实现光纤的定位和精确自对准.该器件体积小巧、可集成...
  • 113. 基于HFSS设计同轴腔滤波器
    作者： 刘鹏宇 张玉虎 沈海根
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  430-432
    摘要： 同轴腔滤波器在微波电路中有着广泛的应用,在此研究如何利用3D全波场分析软件HFSS分析设计同轴腔滤波器.该分析包括谐振腔调谐螺钉、腔间耦合孔及输入输出激励的影响效应.基于上述分析,借助HFS...
  • 114. 高线性满摆幅输入度跨导器及其在gm-C带阻滤波器中的应用
    作者： 吴杨 李文渊 王志功
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  433-435,439
    摘要： 介绍了一种利用MOS管线性区特性实现满摆幅输入的跨导器.通过分析电路中MOS管的二阶效应,利用差分放大器以负反馈形式接入偏置和输出端并联电流源的方法,对电路进行了结构优化,提高了电路的线性度...
  • 115. 用于WCDMA系统的一种新型神经元MOS复数匹配滤波器
    作者： 余宁梅 刘高辉 杨媛 高勇
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  436-439
    摘要： 提出了一种新型神经元MOS复数匹配滤波器结构,用于实现WCDMA系统中复四相扩频调制信号的解扩运算.主要对关键电路进行了分析,与线性运算器件实现的复数匹配滤波器电路相比,具有结构简单的优点,...
  • 116. 40-Gbit/s SDH光纤通信系统前置放大器设计
    作者： 孙玲 王志功 韩鹏 高建军
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  440-443
    摘要： 基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了共基极和共发共基两种输入结构的前置放大器.为获得更宽的电路带宽,共基极电路采用了电容峰化技术.电路仿真表明,采用这些技术使两种前置放大器的...
  • 117. LDMOS线性微波功率放大器设计
    作者： 冯辉 李德昌 郝跃 韩红波
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  444-449
    摘要： LDMOS以其大功率、高线性度和高效率等优点得到广泛的应用.采用2-tone负载牵引法得到了LDMOS晶体管MRF 18030的输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配...
  • 118. 零中频UHF RFID接收机中的低噪声放大器设计
    作者： 崔建明 张润曦 曹丰文 石春琦 赖宗声
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  450-453
    摘要： 介绍了一个基于0.18μm标准CMOS工艺,可用于零中频UHFRFID(射频识别)接收机系统的900MHz低噪声放大器.根据射频识别系统的特点与要求对低噪放的结构、匹配、功耗和噪声等问题进行...
  • 119. 工作时钟1GHz超高速电压比较器设计
    作者： 孟桥 郝俊 高彬
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  454-456,460
    摘要： 超高速模数转换电路是现代高速通信和信号处理电路中的重要组成部分,而超高速比较器的设计是超高速模数转换器设计中的关键环节,文中通过综合考虑比较器的传输延时和失调电压等因素,讨论了超高速比较器的...
  • 120. 一种齐纳二极管控制式轨对轨CMOS运算放大器
    作者： 景为平 程梦璋
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  457-460
    摘要： 采用0.6μm CMOS工艺,设计了一种齐纳二极管控制式轨对轨运算放大器.该运放采用了3.3V单电源供电,其输入共模范围和输出信号摆幅接近于地和电源电压,即所谓输入和输出电压范围轨对轨.该运...

电子器件基本信息

刊名 电子器件 主编 孙立涛
曾用名
主办单位 东南大学  主管单位 中华人民共和国教育部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1005-9490 CN 32-1416/TN
邮编 210096 电子邮箱 dzcg-bjb@seu.edu.cn
电话 025-83794925 网址
地址 南京市四牌楼2号

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