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人工晶体学报
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本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。
主办单位：
中材人工晶体研究院有限公司
期刊荣誉：
1987年获优秀编辑二等奖
1989年获优秀期刊奖
1997年获全国第二届优秀科技期刊奖
ISSN：
1000-985X
CN：
11-2637/O7
出版周期：
月刊
邮编：
100018
地址：
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系.由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景.目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 目前,c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功,但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题.为消除极化电场的影响,人...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 氮化镓(GaN)基蓝光和绿光激光器在投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域具有重要的应用前景与广泛的市场需求.本文着重介绍了GaN基蓝光和绿光边发射激光器的技术难点和相应的解决方案.在Ga...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展,显示是实现信息交换和智能化的关键环节.在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的次世代显示技术,得到学术界与产业界的广泛关...
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6. 氮化镓单晶的液相生长刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料.除气相法(包括HVPE(氢化...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表.因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料.采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基器件是实现其高性能...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： AlGaN量子结构是实现高光效、高稳定紫外固态光源的核心.近年来,AlGaN半导体材料及其紫外光源应用研究取得了较大的进展.然而,AlGaN材料的生长制备只能在非平衡条件下完成,涉及的生长动...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 深紫外光源在杀菌消毒、生化检测、紫外固化、紫外通信等方面具有巨大的应用前景,基于AlGaN半导体的深紫外发光二极管(LED)因具有无毒、体积小、能耗低、寿命长、波长可调等优势,得到了广泛的关...
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11. 氮化铝纳米结构的生长与物性研究刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 氮化铝(AlN)纳米结构除了具备AlN本身宽带隙、高热导率、高击穿场强和高热稳定性等优异物理性能外,还具备表面效应和小尺寸效应所引起的独特物理和化学性质,因而受到人们的广泛关注.在国内外研究...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(RON,SP)高等问题不断优化器件结构设计,本课题组改进关键加工工艺,使1...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 柔性电子是近年来发展十分迅猛的一个新兴领域,半导体材料作为柔性电子器件的功能核心,研究人员通常期望它具有良好的电学性能及优异的可加工和变形能力.然而,现有的无机半导体尽管电学性能优异,但往往...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 4H-SiC(碳化硅)半导体是制作高温、高频、大功率电力电子器件的理想电子材料,近20年来材料生长技术水平不断提升,材料品质逐步提高.本文首先介绍了4H-SiC半导体同质外延生长的必要性,结...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望.详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理.研究了影响MPCV...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： SnSe晶体是一种新型低成本环境友好型热电半导体材料,近几年已成为国内外研究的热点.为了获得SnSe晶体,目前国际上主要采用垂直布里奇曼法和垂直梯度凝固法两种技术进行生长.然而该材料因具有独...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 可见光发光二极管(LED)范围内,因"黄光鸿沟"这一世界难题的存在,照明用白光LED主要通过蓝光LED芯片激发黄色荧光粉来实现.然而,由于荧光粉的光光转换效率在自身发热所产生的高温环境中易出...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 由于高质量自支撑氮化镓(GaN)衬底的出现,垂直型GaN-on-GaN器件获得了快速的发展并具有较高的功率等级和工作频率.本文讨论了垂直型GaN功率二极管的制作、机制和表征.通过制作高质量肖...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-x Gex(0<x≤1)薄膜的生长,并对Si1-x Gex/Si异质结构的...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2 O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了...
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21. AlN单晶生长行为研究刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响.当温差为6...
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刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要： 利用水平热壁CVD方法,基于SiH4-C3 H8-H2生长系统在n型4H-SiC偏4°衬底上进行同质外延生长.通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显微镜和拉曼散射光谱(Raman),对...
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23. 征稿简则刊名： 人工晶体学报发表期刊： 2020年11期页码:摘要：
人工晶体学报基本信息
| 刊名 | 人工晶体学报 | 主编 | 张伟儒 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中材人工晶体研究院有限公司 | 主管单位 | 中国建筑材料联合会 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1000-985X | CN | 11-2637/O7 |
| 邮编 | 100018 | 电子邮箱 | jtxbbjb@126.com |
| 电话 | 010-65491290 ;65492963 | 网址 | www.jtxb.cn |
| 地址 | 北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱 |
人工晶体学报评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 1987年获优秀编辑二等奖 |
| 2. | 1989年获优秀期刊奖 |
| 3. | 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖 |
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