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微电子学期刊
出版文献量（篇）
3955
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微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号24所
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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  • 1. 4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型
    作者： 国云川 延波 徐跃杭 徐锐敏 王磊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  1-4
    摘要： 提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型.该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于...
  • 2. 应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响
    作者： 冯倩 张进城 郝跃 马香柏
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  5-8
    摘要： 电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一,国内外都有研究,但尚无统一结论.通过实验,研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象.研究表明,不同电应力条件下,导致漏电流崩塌和最...
  • 3. 普通玻璃光刻版对产品成品率影响的研究
    作者： 邵红
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  9-12,15
    摘要： 介绍了半导体工艺中光刻版的重要作用,特别针对在实际工艺中使用普通玻璃材质光刻版对产品造成的成品率波动问题.通过对大量实验中失效现象的分析总结,找出波动产生的原因,并且根据实际采集数据进一步验...
  • 4. 钨插塞在化学机械抛光中的化学作用机理研究
    作者： 刘玉岭 张伟 武晓玲 贾英茜
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  13-15
    摘要： 采用有机碱和过氧化氢作为抛光液的pH值调节剂和氧化剂,分析化学机械抛光过程中化学作用对抛光过程的影响.氧化剂在钨表面形成较软的钝化膜,这层钝化膜可以使钨容易磨除,提高高低选择比;在压力作用下...
  • 5. 面向CPU芯片的验证技术研究
    作者： 位招勤 张旭 曾献君 胡建国
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  16-19,23
    摘要： CPU芯片规模大、复杂度高,在芯片设计的不同阶段进行多层次的验证,保证芯片的正确性非常关键.文章探讨了模拟验证、FPGA仿真、形式验证和静态时序分析等验证方法,提出了一种多级验证体系方法,实...
  • 6. 宽电压A/D、D/A转换器用BiCMOS工艺技术研究
    作者： 刘勇 刘玉奎 高峰
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  20-23
    摘要： 研究和开发了一种用于宽电压A/D、D/A转换器的BiCMOS工艺.利用相关晶体管原理和公式,计算出工艺参数,再用TSUPREM4和MEDICI软件,进行工艺和器件仿真,得出精确的工艺参数.流...
  • 7. 功率器件硼基区注入工艺研究
    作者： 曾莉 李杰 税国华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  24-27
    摘要： 随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域的广泛应用,以及集成电路生产规模的进一步扩大,对参数一致性、重复性、均匀性的要求越来越高;文章重点介绍功率器件硼基区注入工艺,对工...
  • 8. 片上双核通信机制的设计与应用
    作者： 严晓浪 杨建 葛海通 阳晔
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  28-32
    摘要： 高性能处理器之间的通信是片上多核系统设计的关键.文章描述了片上RISC/DSP双核系统Gemini中Mailbox、Shared-Memory、DMA三种通信机制的设计,并通过通信实验,测试...
  • 9. 可提高Buck型DC/DC转换器带载能力的斜坡补偿设计
    作者： 张倩 来新泉 郭仲杰
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  33-37
    摘要： 提出了一种新颖的可提高Buck型DC/DC转换器带载能力的斜坡补偿设计.针对电流模DC/DC转换器在大占空比下的不稳定性,以及采用斜坡补偿后系统带载能力下降等问题,通过产生分段线性斜坡补偿信...
  • 10. SPC技术在键合工艺中的应用
    作者： 夏志勇 欧昌银 滕丽
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  38-40,44
    摘要： 采用统计过程控制(SPC)技术,提高微电路产品的质量和可靠性,监控键合工序的生产过程状态.通过连续采集的25批键合强度数据,绘制了标准-偏差控制图,并对控制图处于非受控状态的批次进行了具体分...
  • 11. 与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用
    作者： 于宗光 李红征
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  41-44
    摘要： 采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件.制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA.对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造...
  • 12. 应用于低功耗SoC的动态时钟管理技术
    作者： 付智辉 邹雪城 陈黎明 雷(釒监)铭
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  45-48
    摘要： 文章着重分析了基于系统级的低功耗技术,提出了动态时钟管理技术,介绍了其背景、原理以及在系统低功耗中发挥的重要作用.最后,将该技术应用到一款LCD控制器中.事实表明,动态时钟管理技术在保证系统...
  • 13. 一种13位400 kHz 11 mW Σ-Δ模拟/数字转换器
    作者： 李卓 杨华中 杨培 罗阳
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  49-52
    摘要： 设计了应用于低中频GSM接收机的三阶单环单比特结构Σ-Δ A/D转换器.调制器采用全差分开关电容积分器实现.仿真结果显示,在工作电压为3 V、信号带宽200 kHz、0.35 μm CMOS...
  • 14. Σ-Δ调制器的非理想特性行为级建模与仿真
    作者： 何怡刚 刘美容 周炎涛 王玺 阳辉
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  53-56
    摘要： 分析了开关电容型(SC)Σ-Δ调制器的非理想特性,主要包括采样时钟抖动、开关热噪声(kT/C噪声)、运放增益等.在建立各自噪声模型的基础上,构造了一个二阶有色噪声和一个四阶白噪声Σ-Δ调制器...
  • 15. 片上低压降电源调节器的稳定性分析和频率补偿
    作者： 陈祎峰
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  57-60
    摘要： 分析了片上低压降(Low Dropout)电源调节器稳定性的极限条件,在此基础上,提出了一种实用的频率补偿技术.此技术无需额外电阻和偏置电压,即能为系统产生零点,实现系统的主、次极点分离(p...
  • 16. MOSFET迁移率增强技术
    作者： 徐秋霞 胡爱斌
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  61-66
    摘要： 随着MOSFET特征尺寸的缩小,载流子的迁移率降低已成为器件性能衰退的主要因素之一,迁移率增强技术因此获得了广泛的研究和应用.衬底诱生应力、工艺诱生应力和采用不同的衬底晶向等三类方法都可以显...
  • 17. 全差分超级自适应偏置跨导运算放大器
    作者： 蒋波(韋華) 赵怡 闵昊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  67-71
    摘要： 介绍了一种低电压、高效率的全差分自适应偏置跨导运算放大器.采用甲乙类的差分结构作为输入级,包含一个本地共模反馈结构(LCMFB),用以提供额外的电流自举,同时也提高其增益带宽积(GBW)和达...
  • 18. 用于频率综合器的延迟锁相环的设计
    作者： 上官利青 刘伯安
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  72-75
    摘要： 设计了一种宽频率锁定范围、倍频数可编程的延迟锁相环.它引入了条件振荡控制电路,使该电路在保持DLL一阶系统和低抖动性能优势的基础上吸收了PLL倍频数可编程的优点;同时,该电路结合了设置延迟初...
  • 19. 一种精准的升压型DC-DC转换器自调节斜坡补偿电路
    作者： 刘永根 张波 李肇基 游剑 罗萍
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  76-79,84
    摘要： 设计了一种精准的升压型DC-DC转换器自调节斜坡补偿电路,包括反馈信号产生电路,固定斜率的斜坡信号产生电路,反馈信号转移电路和自调节斜坡信号产生电路四部分.其产生的斜坡信号斜率随输入电压变化...
  • 20. 一种用于高速高精度A/D转换器的自举采样电路
    作者： 任俊彦 尹文婧 王磊 许俊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  80-84
    摘要： 介绍了一种新型的CMOS自举采样电路.该电路适用于12位100 MHz采样频率的A/D转换器.采用P型栅压自举开关补偿技术,可以有效地克服采样管导通电阻变化引入的非线性失真,提高采样精度.仿...
  • 21. 一种25 MS/s高精度采样保持器的设计
    作者： 余涵 张晓林
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  85-88,96
    摘要： 介绍了一种高精度采样保持器.密勒电容反馈的引入,使等效保持电容大大增加,从而有效地抑制了模拟开关的电荷注入效应带来的采样误差;设计大共模输入范围的高增益带宽积的放大器,以提高信号差模输入范围...
  • 22. 用于10位100 MS/s流水线A/D转换器的采样保持电路
    作者： 姜申飞 戴庆元 朱红卫 陈美娜
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  89-92,100
    摘要： 设计了一个用于10位100 MHz采样频率的流水线A/D转换器的采样保持电路.选取了电容翻转结构;设计了全差分套筒式增益自举放大器,可以在不到5 ns内稳定在最终值的0.01%内;改进了栅压...
  • 23. 一种5 GHz WLAN CMOS正交调制器和上变频器的设计
    作者： 李文渊 李智群 毛银伟 王志功 苏俊杰
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  93-96
    摘要： 介绍了应用于WLAN IEEE 802.11a的正交调制器和上变频器的设计,给出了详尽的优化方法.正交调制器在传统Gilbert单元的基础上,采用负反馈跨导放大器来提高线性度;上变频器采用R...
  • 24. 一种阵列布局优化的256 kb SRAM
    作者： 于宗光 施亮 高宁
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  97-100
    摘要： 介绍了一种阵列布局优化的256 kb(8 k×32位)低功耗SRAM.通过采用分级位线和局部灵敏放大器结构,减少位线上的负载电容;通过电压产生电路,获得写操作所需的参考电压,降低写操作时的位...
  • 25. 一种4 ppm/℃曲率补偿CMOS带隙基准源
    作者： 俞永康 郑儒富
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  101-104
    摘要： 提出了一种采用新型曲率补偿技术的CMOS带隙基准源.该电路利用BJT电流和电压的指数关系,得到了高阶曲率补偿的基准电压.在-55～+125 ℃温度范围内,通过HSPICE仿真验证,基准电压的...
  • 26. 一种用于升压型DC/DC变换器的低压带隙基准源
    作者： 姚素英 徐江涛 杨喆
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  105-108,112
    摘要： 设计了一种应用于升压型DC/DC转换器芯片的高精度、低电压、低功耗带隙基准电压源,包含恒定电流的偏置电路、低压低功耗的运算放大器、三极管级联的带隙基准核心电路和低压启动电路四个部分.经过理论...
  • 27. 带启动迟滞的大电流驱动高压基准电路
    作者： 张艳维 朱章华 李新泉
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  109-112
    摘要： 设计了一种具有大电流驱动能力的新型带启动迟滞的高压基准电路.该电路不仅极大地提高了传统基准电路的精度和稳定性,而且具有较大的电流驱动能力,可应用于双模式有源功率因数校正电路.采用UMC 0....
  • 28. 一种新颖的高电源抑制比亚阈值MOSFET电流基准源
    作者： 余国义 邹雪城
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  113-117
    摘要： 基于亚阈值MOSFET,提出了一种新颖的高电源抑制比(PSRR)电流基准源.基准电路充分利用工作在亚阈值区MOSFET的I-V跨导特性和改进的具有高负反馈环路增益预电压调制,为电流基准核电路...
  • 29. 一种基于超高压工艺的AC-DC芯片供电方案
    作者： 尤勇 来新泉 王松林 韩敏
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  118-121
    摘要： 基于TSMC的超高压工艺,提出了一种新颖的AC-DC芯片供电方案,省去了传统的辅助绕组,减小了PCB板承载系统的面积,拓宽了应用领域,节约了设计成本.芯片直接连接到高电压直流通路上,由芯片内...
  • 30. 一种基于JTAG的嵌入式DSP可调试系统的设计
    作者： 伍乾永 张实华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  122-124,128
    摘要： 目前,嵌入式调试主要采用硬件调试器与调试程序相结合的调试方法.但硬件调试器的价格比较高,增加了系统开发成本.为了降低调试成本,提高调试效率,提出了一种基于JTAG接口的嵌入式DSP可调试系统...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

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