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微电子学2014年第3期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 设计了一种基于UMC 0.18 μm CMOS工艺的16位1 GS/s的电流舵型D/A转换器.该DAC采用7+4+5分段结构,1.8 V/3 V双电源供电,满摆幅输出电流为20 mA.采用四...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 流水线模数转换器(Pipeline ADC)是一种应用广泛的模数转换器结构,可以同时实现高速和高精度性能.然而电路的非理想性严重制约着流水线ADC的性能.提出了一种自适应数字技术,通过使用低...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 设计了一种基于CMOS工艺的高速采样保持电路.该电路采用了开环双路双差分结构.详细分析了引起电路非线性的原因,并采用了新的结构来提高电路的线性度.仿真结果表明,在电源电压为1.9V,输入信号...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 高性能的输出级是运算放大器和功率放大器的重要组成部分,AB类输出级因其具有高转换效率和低失真的特性而被广泛应用.对于标准双极工艺,NPN晶体管的工作频率远高于PNP晶体管.本文采用全NPN晶...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： SOC及智能功率集成电路对基准电压源提出了很高的要求.基于阈值电压和BiCMOS工艺,设计了一种新型的电流模式基准电压源.利用NMOS管阈值电压的线性负温度系数产生CTAT电压,与一种常见的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 设计了一种用于DC-DC开关电源芯片的高电源抑制比、低温漂系数带隙基准电路.基于0.5 μm BCD工艺,仿真结果表明,在不显著增加电路面积损耗的前提下,该电路的电源抑制比在低频下接近110...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于亚阈值MOS管的超低功耗、低温度系数的全CMOS电压基准电路.电路可在0.6～5 V的工作电压范围内工作,当工作电压为1V时,功耗为...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 目前自激振荡线路驱动器由于极限环频率较低,在输入信号频率较高时,系统增益下降较大,由延时决定的自激振荡线路驱动器可提高极限环频率.本文分析了提高极限环频率后系统增益、线性度和功耗等的变化,并...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 提出了一种新型的过流保护电路,通过对采样网络的温度补偿,进一步减小了因为温度变化引起的过流点改变,提高了过流点精度.本电路基于TSMC 0.5 μm BCD工艺设计,Hspice仿真结果表明...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 设计了一种适用于恒定导通时间Buck型DC-DC控制器的过流保护电路.采用两个不同限流门限技术,并对门限进行温度补偿.过流后,利用计数器对开关周期计数,当超过设定值持续过流时,实现门限降低,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 提出了一种新型的欠压锁定电路.该电路结构简单,可用于浮动电源轨,具有精确的迟滞特性,占用面积小,且与CMOS工艺完全兼容.采用0.6μm 16 V CDMOS工艺进行仿真、流片验证.Hspi...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 设计了一种改进的PWM控制电路,将电流采样电路和PWM比较器归结为一个PWM电流比较器,减少了电路规模.将误差放大器输出与锯齿波斜坡补偿信号叠加,产生叠加输出电流,并通过PWM电流比较器输出...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 针对降压型DC-DC转换器集成度不断提升这一发展趋势,设计了一个集成化的低端整流管驱动方案.该方案利用死区时间来控制对低端整流管栅极的充电和放电.充电过程分为两个阶段,并且绝大部分充电电流直...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 提出了一种支持14位2.5 GS/s RF-DDS幅度调制的键控数字电路设计.该键控电路支持两种工作模式:手动模式和自动模式.仿真验证和电路测试结果表明,该电路能够有效支持DDS的幅度调制功...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 设计了一种单片全集成、输出功率增益可变的CMOS功率放大器电路.功率放大器电路输出级通过电容分压实现阻抗匹配,输出功率增益通过三位数字控制位实现七级增益控制.该功率放大器基于SMIC 0.1...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 为了降低芯片成本,通过使用低压器件串联的方式构造静电防护触发电路,使芯片在没有使用高压I/O器件的情况下实现了高压电源域的ESD防护.由于该触发电路未使用电容器件,因此有效地降低了ESD触发...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 设计了一种高精度、大动态范围对数检波放大器电路.电路采用一种新颖的拓扑结构,并采用SMT工艺加工制作,整个电路体积为40×20×7 mm3.电路具有精度高(对数误差≤±1dB)、对数动态范围...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： DES算法是典型的对称加密算法,广泛应用于商业化领域中,如各种智能卡等.对称算法的实现基本上都是基于同步电路设计.本文采用基于四相捆绑数据协议的异步电路方法实现了DES算法.将DES算法的同...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 用于UHF RFID的自动调节泄漏载波抵消电路采用功率反射相消技术和近似最速下降法的自动调节算法,主要解决UHF RFID读写器收发机载波泄漏问题.调节过程由FPGA控制,采用近似最速下降法...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 采用标准0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)电路.该QVCO电路采用了两种新技术:分裂转换偏置与电容耦合技术.该电路不仅获得较好的相位噪声,还具有...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 针对宽带数字接收系统要求处理带宽可变和高度抑制干扰的特点,从传统的基于多相结构的宽带DDC出发,引入窄带DDC中整形滤波的概念,设计了带宽可变、阻带抑制高的变带宽宽带DDC,且在FPGA上实...
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22. 一种新颖的600 V浮空埋层结构刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 提出了一种新颖的低导通电阻600V器件结构.该结构采用了掺杂深槽和分裂浮空埋层结构,可以克服普通分裂浮空埋层结构划片道边缘漏电大的问题,同时仍然保持了普通分裂浮空埋层结构具有的较低导通电阻的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 随着集成电路特征尺寸进入纳米尺度,摩尔定律的延续受到一定的挑战,纳米技术代的晶体管亟需全新的材料、器件结构和工艺集成技术.在器件结构方面,无结型场效应晶体管由于其近似理想的电流电压特性、优良...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10 nm及以下时器件的电学特性.仿真结果表明,相比于...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 研究了不同氮化条件对蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN异质结材料特性的影响.研究表明,随着氮化过程NH3流量的增大,GaN外延层的晶体质量得到了改善,GaN内应力释放,但是AlGaN/Ga...
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26. 半导体器件老炼筛选试验设计刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 老炼筛选试验是有效剔除内合固有工艺缺陷的半导体器件,以及保证半导体器件使用可靠性的重要途径.本文阐述了半导体器件早期失效的基本概念,并给出了半导体器件早期失效率的预计方法.在此基础上提出了半...
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27. 半导体测试仪器故障诊断技术研究刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 对半导体测试仪器故障诊断方法学和故障定位实用方法进行了初步研究.故障诊断是模式分类和识别结合维修经验的一种重复过程.在简述常用的诊断方法和故障定位技术基础上,用实例探讨了在半导体测试仪器维护...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 介绍了一种以数字模块为主的高精度片上电源噪声监测方法.该方法使用基于门控环形振荡器(GRO)的时间数字转换器(TDC),并有效地利用GRO每一级的信息,可得到比只利用GRO一级作为输出的方法...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 在集成电路物理设计中,布局是提升电路时延性能的关键阶段.对混合单元模式的详细布局采取二段式的时延优化策略,以此提高布局质量.在合法化阶段,代价函数中采用增加时延权重因子的方法来调整单元的移动...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 针对目前常用的NAND FLASH芯片校验纠错的需要,完成了(4224,4120,8)BCH高速编译码器的电路设计与实现.引入中国剩余定理完成了编码器算法结构的设计,使编码器最高工作频率可达...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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