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摘要:
采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于亚阈值MOS管的超低功耗、低温度系数的全CMOS电压基准电路.电路可在0.6~5 V的工作电压范围内工作,当工作电压为1V时,功耗为1.12 nW.在-20℃~80℃温度范围内,电路的最低温度系数为2.7×10-6/℃.在无片外滤波电容的情况下,电路的电源抑制比在100 Hz和10 MHz时分别为-56 dB和-45 dB.
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低功耗
低温度系数
亚阈值
CMOS
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亚阈值
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低功耗
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带隙基准
基准电压源
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基于CMOS的低功耗基准电路的设计
亚阈值区
CMOS工艺
低功耗
带隙基准
温度系数
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 超低功耗亚阈值CMOS电压基准电路
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 CMOS 电压基准 亚阈值 超低功耗 温度补偿
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 301-304,309
页数 分类号 TN433
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谭洪舟 中山大学信息科学与技术学院 55 276 8.0 12.0
2 李毓鳌 中山大学信息科学与技术学院 2 6 2.0 2.0
3 曾衍瀚 中山大学信息科学与技术学院 1 2 1.0 1.0
4 黄毅荣 中山大学信息科学与技术学院 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
电压基准
亚阈值
超低功耗
温度补偿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
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