微电子学期刊
出版文献量(篇)
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微电子学

Microelectronics

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影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 刘昱 张海英 王小松 陈就
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  593-596
    摘要: 基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种用于电生理信号监测的低功耗、低噪声仪表放大器.采用两级放大结构和斩波技术,减小了低频闪烁噪声.引入波纹抑制负反馈环路,减小了斩波带来的波...
  • 作者: 朱平 高瑜宏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  597-600
    摘要: 提出了一种高增益带宽积CMOS跨导运算放大器,它采用多级前馈补偿结构.该跨导运算放大器采用调零电阻补偿技术,取消了一个非主极点,以提高电路的增益带宽积.电路采用0.18 μm标准CMOS工艺...
  • 作者: 丁大维 夏景 孔娃 杨利霞 詹永照
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  601-604
    摘要: 为了在功率回退时满足功率放大器对高效率的要求,提出了一种采用阻抗缓冲匹配技术的Doherty功率放大器.通过负载牵引仿真,得到功放管的最佳基波和谐波负载阻抗.在此基础上,采用一种谐波控制阻抗...
  • 作者: 孙帆 徐博 邹志革 雷鑑铭
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  605-608
    摘要: 设计了一种应用于生物电信号采集的前端放大器.采用间接电流反馈技术,提高了放大器的线性度和共模抑制比.采用负反馈环路,消除了采集过程中电极产生的极化电压.采用0.18 μm混合信号CMOS工艺...
  • 作者: 乐建连 叶甜春 甘业兵 钱敏 陈浪
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  609-613
    摘要: 基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种面向低速率低功耗应用的2.4 GHz射频前端电路,包含2个单刀双掷开关、1个功率放大器和1个低噪声放大器.采用栅衬浮动电压偏置技术对传统单刀双掷开...
  • 作者: 周峰 徐卫林 段吉海 王博 韦保林 韦雪明
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  614-619,624
    摘要: 基于gm/ID设计方法和电流复用型折叠共源共栅运算放大器结构,采用SMIC 0.18 μmCMOS工艺,设计了一种应用于卫星接收机的低功耗可自动调谐双模式有源RC复数滤波器.引入了调零电阻,...
  • 作者: 侯立刚 彭晓宏 王宇辰 耿淑琴
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  620-624
    摘要: 设计了一种可应用于超高频无源植入式神经刺激器的模拟前端电路.对无源植入式芯片模拟前端的系统架构进行了论述,简述了前端架构中各个模块的工作原理,通过优化系统结构,减小了系统复杂度和版图面积.模...
  • 作者: 司国斌 王春霞 郭亚涛
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  625-629
    摘要: 提出了一种电流模式多输入单输出的n阶滤波器.该电路包括一个电流差分级联跨导放大器(CDCTA)、一个多输出第二代电流传输器(MOCCⅡ)和若干接地电容.无需改变电路内部的结构和器件数目,仅通...
  • 作者: 吕晓强 孙丹 张万荣 杜成孝 杨坤 温晓伟 王娜 谢红云 郭燕玲 金冬月
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  630-634
    摘要: 在共源共栅-共漏有源电感的基础上,联合采用调制晶体管和双反馈回路,提出了一种可在不同频率下获得高的品质因子(Q)峰值,且分别可在大、小范围内粗调和细调电感值的新型宽频带可调谐有源电感.基于T...
  • 作者: 刘尧 刘筱伟 李振涛 郭阳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  635-638,643
    摘要: 设计了一种伪差分两级环形振荡器,可为锁相环提供8 GHz四相位正交时钟.通过分析耦合两级环形振荡线性模型,对四级环形振荡结构进行优化,提出了伪差分两级环形振荡结构.基于单级缓冲器的开环分析,...
  • 作者: 周前能 唐政维 徐海峰 李云松 李红娟 罗伟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  639-643
    摘要: 基于SMIC 0.18 μm CMOS混合信号工艺,设计了一种适用于体局域网(BAN)的自校准逐次逼近型模数转换器(SAR ADC).基于BAN系统的特点,设计的SAR ADC采用阻容混合型...
  • 作者: 何光旭 李健 王彬 肖姿逸
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  644-647
    摘要: 设计了一种高精度单环3阶∑-△调制器.阐述了∑-△调制器的结构,确定了前馈因子和增益因子等重要参数.对调制器的各种非理想因素,如时钟抖动、开关非线性、采样电容kT/C噪声等,进行了量化分析和...
  • 作者: 林福江 王云阵 金科 陈松
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  648-651
    摘要: 提出了一种应用于超高频RFID的集成自干扰抵消电路,它主要由一个6位有源移相器、一个3位可控增益功率放大器和缓冲器组成.有源移相器采用可降位的编码方式,简化了数字逻辑.可控增益功率放大器通过...
  • 作者: 储松 赵鹏程 邓红辉
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  652-657
    摘要: 设计了一种高速高精度的时钟占空比稳定电路.采用全差分连续时间积分器将时钟占空比量化为电压信号,积分器对占空比偏差的累积效应可使电路达到很高的调整精度.采用跨导运算放大器将电压信号转换为电流信...
  • 作者: 何进 常胜 王豪 罗将 许家榆 黄启俊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  658-661
    摘要: 提出了一种从E1信号中提取时钟的全数字锁相环.该锁相环结构简单、易于实现、可靠性高,提取的时钟信号的抖动和漂移均满足ITU-T G.823的要求.建立了相位传递数学模型,对电路的原理进行了分...
  • 作者: 刘辉华 张宪 徐小良 李平 李磊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  662-665
    摘要: 详细分析了自偏置锁相环(PLL)的工作原理,采用一种新颖的折叠式电荷泵(CP)结构,包含一个宽摆幅电流镜,实现了更好的电流匹配,降低了PLL的系统抖动.该PLL采用130 nmCMOS工艺进...
  • 作者: 叶棪 席娜 张吉利 林福江
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  666-669
    摘要: 基于GF 130 nm CMOS工艺,设计了一种低参考杂散、高电源噪声抑制比(PSNR)的Ⅰ型锁相环.相较于电荷泵型锁相环,Ⅰ型锁相环存在锁定范围小、参考杂散性能差等缺点.此外,压控振荡器是...
  • 作者: 刘慧君 谢亮 金湘亮
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  670-673
    摘要: 针对低频下数字集成电路实现时序收敛需要插入大量缓冲器而导致芯片布线困难、运行时间较长等问题,提出了一种降低时钟树级数与增加保持时间余量相结合的时钟树综合方案.基于CSMC 0.35μm CM...
  • 作者: 杨海钢 陈柱佳 韦援丰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  674-678,684
    摘要: 提出了一种改进的宽分频比范围可编程分频器,支持对分频数和占空比的编程设置.该结构由改进的可编程下行异步计数器和脉冲二分频器组成,采用置数自释放结构和“时间裕度借用”方法,将关键路径延时容忍度...
  • 作者: 廖友春 张钊锋 张顶顶 黄兆磊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  679-684
    摘要: 基于0.13 μm CMOS工艺,实现了一种适用于超宽带EOC-Tuner频率合成器的低功耗可编程电荷泵.通过延迟调节单元基本消除了电荷泵控制信号的延迟失配,采用辅助管降低电荷共享的影响,采...
  • 作者: 付俊超 易茂祥 梁华国 欧阳一鸣 闫爱斌 黄正峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  685-689,694
    摘要: 针对单粒子翻转(SEU)的问题,提出了一种容SEU的新型自恢复锁存器.采用1P-2N单元、输入分离的钟控反相器以及C单元,使得锁存器对SEU能够实现自恢复,可用于时钟门控电路.采用高速通路设...
  • 作者: 万慧君 万欣 刘道广 孙亚宾 晋虎 王敬 许军 谭桢 魏志超
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  690-694
    摘要: 功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效.首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射效应.然后,介绍了近年来一些新的研究成果和研究热点.最后,对第三代半...
  • 作者: 李博 杨玲 罗家俊 韩郑生 黄云波
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  695-700
    摘要: 系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展.在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流、交流、噪声特性的变化,以及器件的特殊现象.在电路级...
  • 作者: 吕伟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  701-705
    摘要: 异质集成技术是微系统的核心技术,分为混合异质集成技术和单片异质集成技术.单片异质集成技术因具有较高的集成度,逐渐成为研究热点.从两个方面介绍了微系统中单片异质集成技术的研究现状和进展.在微电...
  • 作者: 任佳琪 刘程晟 孙亚宾 李小进 石艳玲 郑芳林
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  706-709
    摘要: 提出了一种基于保角映射方法的14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法.对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电容的种类,再借助坐标变换推导出等效电容计算模型,准...
  • 作者: 杨大力 樊冬冬 汪志刚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  710-713,717
    摘要: 提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT).结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布,防止器件提前发生雪崩...
  • 作者: 吴宇芳 周骏 成建兵 王勃 袁晴雯 陈珊珊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  714-717
    摘要: 在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT).利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快...
  • 作者: 夏洋 康恒 景玉鹏 李勇滔 程嵩 黄洛俊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  718-722,728
    摘要: 针对半导体工艺中去离子水的表面张力导致显影干燥过程中光刻胶纳米线条容易发生倒伏的问题,采用了微波干燥方法,以抑制光刻胶纳米线条倒伏.利用微波的热效应和非热效应,降低去离子水的表面张力,使光刻...
  • 作者: 刘士兴 周光辉 易茂祥 程龙 范对鹏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  723-728
    摘要: 随着CMOS工艺特征尺寸的不断缩小,晶体管的老化效应严重影响了电路的可靠性,负偏置温度不稳定性(NBTI)是造成晶体管老化的主要因素之一.提出了一种基于固定故障插入的电路抗老化输入矢量生成方...
  • 作者: 任时成 何志刚 刘云婷 唐昶宇 梁栋程 王晓敏 王聪
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2017年5期
    页码:  729-732
    摘要: 对塑封器件进行破坏性物理分析(DPA),发现有样品芯片表面存在金属化层损伤.对损伤部位进行背散射电子成像和能谱分析,确定损伤部位存在钢颗粒.结合塑封封装工艺环节进一步分析损伤形貌,结果表明钢...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

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2. 信息产业部优秀电子科技期刊

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