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微纳电子技术2010年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 提出一种新型的电流驱动对称磁多层结构纳米自旋传输矩微波振荡器结构.由两个铁磁膜组成,具有相同厚度,中间被一薄的非磁层隔开.纳米磁多层柱的上、下都有金属层作为电极.一个恒定不变的直流电流垂直通...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响.场板(FP)结构有...
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3. 自旋电子学研究的最新进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 自旋极化电子的高效注入、自旋霍尔效应和自旋流的产生与探测都是目前自旋电子学中热门研究专题,世界一些著名学术刊物屡见报道.对这些重要内容的理论和实验的最新研究成果进行了介绍.通过自旋极化电子高...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 利用射频磁控技术,在Si衬底上以Pd为缓冲层、Ga2O3,粉末作为生长GaN的Ga源,成功制备出大量GaN纳米线.通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 通过磁控溅射技术在Si (111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 以硝酸铁、硝酸钴和柠檬酸为原料,通过溶胶-凝胶微波加热自蔓延燃烧法制备出了纯的立方尖晶石型铁酸钴(CoFe2O4)纳米粒子,然后通过原位聚合将聚苯胺(PAN)对所得粒径约20～30 nm铁酸...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响.根据模拟结果,采用金属有机...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 介绍了带有微沟道的超声行波微流体驱动的圆环模型.在对模型结构部分进行模态分析和瞬态动力学分析的基础上,基于有限元分析,针对耦合模型作声固耦合分析,分别得到与空气和水耦合时模型的固有频率;进行...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 所设计的微混合器是一种基于狄恩流的被动式混合器,该混合器的结构特点是由多个不同半径的弯曲管道双螺旋而成,中部通过"S"形管道将输入管道和输出管道相连.首先分析了狄恩流形成的机理及特点,再通过...
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10. 多能点X射线透射光栅的制作技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 针对X射线自支撑透射光栅在多能点单色成像光栅谱仪中的应用,采用电子束和光学匹配曝光、微电镀和高密度等离子体刻蚀技术,成功制备了周期为500 nm、金吸收体厚度为350 nm、占空比接近1:1...
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11. 纳米间隙电极的制备及应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 综述了国内外纳米间隙电极的制备方法,其中主要包括扫描隧道显微镜法、Hg滴法、机械断裂法、微加工法、电迁移法、电化学法等,对每种方法的制备过程及原理进行了较详细的介绍;对每种纳米间隙电极在分子...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上.所...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 重点介绍了采用表面等离子体增强效应的近场光刻制作亚微米结构的二维点阵图形的技术.在研究亚波长纳米孔阵列超透射现象基本原理的基础上,应用有限差分时域(FDTD)算法数值模拟了周期性孔阵列的电场...
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14. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年1期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性.在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超...
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16. 高效率大功率连续半导体激光器刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 从大功率半导体激光器的工作机理出发,对影响激光器电光转换效率的主要因素,如激光器的斜率效率ηd、阈值电流Ith、开启电压Vo、串联电阻Rs以及工作电流I等进行了分析,进而讨论了提高电光转换效...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构.该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端,辅助耐压的P+环位于刻蚀型外延终端的表面,采用离子注入的方式,与基极接触的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 定向排列技术是一维纳米材料应用中的一项关键技术.论述了LB(Langmuir-Blodgett)膜法、介电泳法、接触印刷法和水流法几类定向排列方法及其特点.LB膜法利用材料的两亲特性,将一维...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 重点介绍了670 nm LED材料的结构与制备方法,用MOCVD方法生长了较高压应变的670 nm多量子阱.分析比较了670 nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素,指出室温光荧光主要来源于...
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20. HVPE法生长AlN薄膜材料刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃.在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 使用射频磁控溅射法,在Si片上沉积了TiNi形状记忆合金薄膜,分别采用能谱色散光谱仪(EDS)和差示扫描热量分析(DSC)方法测试了薄膜的成分和相变特征温度,并通过给形状记忆合金(SMA)薄...
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22. 电容式RF MEMS谐振器刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 介绍了应用于通信领域的电容式RF MEMS谐振器及其在通信系统小型化中的优势.对电容式微机械谐振器进行了综合分析,包括基本工作过程分析、基本参数的理论分析及等效电路的分析.介绍了目前几种常用...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 介绍了一种新型的、基于Cu牺牲层的聚酰亚胺图形化方法制备视网膜电极的MEMS工艺,并对其电化学性能进行了表征.该工艺创新性地以Cu作为衬底聚酰亚胺图形化的牺牲层,以PDMS(聚二甲基硅氧烷)...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 针对多层Cu布线化学机械抛光后去除表面吸附颗粒时难以解决的氧化腐蚀问题,分析了颗粒在抛光后Cu表面上存在的两种吸附状态即物理吸附和化学吸附.采用在清洗剂中加入非离子表面活性剂的方法,使Cu表...
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25. 电子散射参数提取的新方法刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键.采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法.邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设...
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26. 阵列位相环匀光器刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 基于衍射光学中的角谱理论,针对一种分布为同心3环、相位为0.9π,0和0.9π的结构进行深入分析,提出一种10×10的3环2值位相环阵列结构,并与二元光学中的10×10的菲涅尔波带片阵列结构...
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27. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要：
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28. 可调谐微机电电感刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 射频可调谐微电感在当前发挥着重要作用,它能满足高性能紧凑型器件设计的要求.对于器件设计者来说,可调电感能调谐电感量并能保证较高或适当的品质因素(Q值),这种能力在可调谐系统中比可调电容更有优...
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29. 纳米分子电子器件的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 纳米分子电子器件是未来电子器件发展的重要方向.对几种典型的纳米分子电子器件,如纳米分子开关、纳米分子整流器、纳米分子晶体管、纳米分子电磁器件和纳米分子电光器件的工作原理、应用前景等方面进行了...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 利用激光器阵列波谱合成模拟软件,对808 nm半导体激光器阵列的光谱进行了模拟,同时采用光谱仪对半导体激光器阵列的光谱进行了实测,通过对比模拟结果和实测结果,发现存在一定误差.结合激光器的工...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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