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微纳电子技术2014年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schr(o)dinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响.研究表明,对于In0.17Al0.83 N/...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 静电纺丝技术可制备形貌可控并且连续的纳米纤维,在三维纳米结构制备领域得到了广泛应用.综述了国内外三维静电纺丝技术的研究现状,介绍了三维静电纺丝技术的基本原理.概述了目前制备三维纳米结构常用的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 综述了氮化铝面内伸缩模态的射频MEMS谐振器.氮化铝面内伸缩模态谐振器(contour-mode resonator,CMR)利用了氮化铝薄膜的压电效应,由器件的机械谐振再通过机电转化实现谐...
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64. 高线密度X射线双光栅的研制刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 研究了采用高分辨率的100 kV电子束光刻和光学光刻系统相结合制作高线密度X射线双光栅的工艺技术,并且分析了电子束邻近效应校正技术在高线密度光栅制备中的应用.首先,利用电子束曝光和纳米电镀技...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 在微机电系统(MEMS)领域硅各向异性湿法腐蚀是制作许多元器件的一项重要技术,加入非离子型表面活性剂的腐蚀液可以在硅基片上制作出各种形状,但是对于真正的腐蚀机理还有待进一步研究.介绍了硅湿法...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 为实现图形片的全局平坦化,通过研究碱性阻挡层抛光液各成分对铜和介质(TEOS)去除速率的影响,遴选出一种碱性阻挡层抛光液.在此抛光液基础上添加不同质量分数的盐酸胍,对钽光片进行抛光,选出满足...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 采用自主研发的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究了不同磨料质量分数对铜和钽抛光速率与膜厚一致性的影响;分析了磨料质量分数为2％,2.8％和3.6％时,膜厚一致性对平坦化的影响.抛光结果显示...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 研究了一种碱性铜抛光液,其基本组分是硅溶胶磨料、新型FA/O V型螯合剂、非离子表面活性剂和氧化剂(H2O2).在压力为2 psi(1 psi=6.895 kPa)、抛头转速与抛盘转速分别为...
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69. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶电泳法,以在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上的多孔阳极Al2O3膜为模板,通过改变TiO2前驱体溶胶的陈化时间,制得TiO2纳米棒与纳米管阵列.通过扫描电镜、X射线衍射仪和电沉...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 通过激光分子束外延(LMBE)和热蒸发技术制备了基于ZnS纳米薄膜的Al/ZnS/ITO/玻璃器件,通过原子力显微镜(AFM)对ZnS表面薄膜形貌进行表征,采用Keithley 2400测量...
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72. 磁性液体场致热效应及其机制分析刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 根据磁性液体特殊的结构组成及磁场中所呈现的奇异特性,利用自行搭建的场致热效应实验装置,通过控制电流换向器,磁场迅速左右换向,致使磁性液体中磁性颗粒磁矩的取向迅速改变,并通过调节直流电源输入电...
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73. Mg3N2粉末稳定性的实验分析刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 稳定性是Mg3N2粉末的一个重要特性.研究了利用镁粉与氨气直接反应法在最佳条件下制备的Mg3N2粉末的稳定性,包括热稳定性、在氧气中的抗氧化性以及在空气中的稳定性.用X射线衍射(XRD)和傅...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 采用两步生长模式的金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜,通过高分辨X射线衍射和原子力显微镜分析方法,研究发现蓝宝石衬底上外延生长的AlN薄膜晶体质量与高温AlN形核层的形...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 介绍了声表面波(SAW)器件的基本构造及工作原理,分析了声表面波进入微流体后所产生的复杂的流-固耦合效应.根据液滴随着声表面波功率的增大所出现的不同响应,将声表面波技术在微流控研究领域中的应...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 基于微流控芯片的微型气相色谱柱可实现对微量恶臭气体的快速有效检测.给出了微流控芯片上微型气相色谱柱的检测机理和实验数据.该芯片利用喷砂加工技术在尺寸为115 mm×60 mm×6 mm硼硅酸...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 低维纳米材料作为纳机电系统(NEMS)中重要的结构层材料,其力学性能与变形失效机理的研究直接影响NEMS的功能实现、可靠性分析与寿命预测.首先,介绍了现有低维纳米材料力学性能测试技术,如纳米...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 石墨烯器件的规模制备是石墨烯材料从实验室研究走向市场应用的关键技术.基于大面积化学气相淀积(CVD)石墨烯,结合微加工技术,对石墨烯圆片级制备工艺进行了初步研究.优化了光学光刻和反应离子刻蚀...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 化学机械抛光(CMP)过程中苯并三氮唑(BTA)与金属铜反应生成表面难溶、难以去除的Cu-BTA钝化膜,是抛光后清洗过程中主要去除的对象.采用自主研发的FA/OⅡ型碱性螯合剂作为清洗液的主要...
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80. 新型碱性清洗剂对BTA去除的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 为了有效去除化学机械抛光(CMP)后清洗中的苯并三氮唑(BTA)沾污,分析了碱性清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂和FA/O工型表面活性剂对BTA去除的影响规律.铜光片上的单因素实验中,通过测试铜光...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要： 提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形.具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图...
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82. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年7期页码:摘要：
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83. 硅纳米晶存储器的耐受性研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性.接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因.随后,同时采用多种分析手段,如电...
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84. 太赫兹二极管的研究进展及应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 太赫兹器件是太赫兹技术的核心.介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键...
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85. 银掺杂对MoS2薄膜特性的影响刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 二硫化钼(MoS2)是一种具有类似石墨烯结构和性能的新型二维层状化合物,近年来因其独特的物理化学特性而成为研究热点.采用化学气相沉积法(CVD),以掺杂银的MoS2饱和溶液为原料,氩气为输运...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 类石墨烯型硅纳米单层(SiNS)材料具有和石墨烯类似的电子性质,由于其较强的表面活性和多表面悬挂键,表面钝化对于其电子结构有着重要的影响.采用第一性原理的方法结合PBE近似,优化了有机分子基...
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87. 氧化钌及其复合电极的制备与性能刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 在三氯化钌(RuCl3)水溶液中,采用循环伏安法在铜电极表面电沉积氧化钌(RuO2)作为超级电容器电极材料.为了提高材料的电化学性能,在电沉积液中引入了氧化石墨烯(GO)水溶液,制备出RuO...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 微流体混合器可以用于不同流体之间的混合与反应,其与化学传感器结合构成的化学分析测试系统,具有灵敏度高、响应时间短和稳定性好的特点.在微电子机械加工技术的基础上,设计了一种新型的、具有非对称分...
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89. 一种可调频的压电式振动能量采集器刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 提出了一种利用外加磁力来调整压电振动能量采集器共振频率的新型设计方案.该振动能量采集器主要包括一个端部带有磁性质量块的聚偏二氟乙烯(PVDF)悬臂梁和一个与悬臂梁在同一个平面内且可以在二维方...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年8期页码:摘要： 研究了GaAs/Si疏水性直接键合技术中GaAs表面化学活化关键工艺,对比分析了不同体积分数的HF和HCl溶液作为表面活性处理剂时对GaAs表面进行活化处理的结果.发现用HCl和H2O溶液处...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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