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微纳电子技术2015年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： MEMS技术经过20多年的发展已进入移动网络时代的发展阶段.从该发展阶段的典型MEMS器件入手,能够从多种MEMS器件的发展中提取出MEMS发展技术路线.介绍了包含MEMS加速度计、MEMS...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 量子细胞神经网络(QCNN)在大规模信号处理上是一种崭新的结构,将是未来细胞神经网络(CNN)一个新的发展方向.以Josephson环的幅值和相位作为状态变量,研究了两个Josephson环...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 为了克服锂硫电池中硫在循环过程中的不稳定性,通过一种乳液破乳-析出的方法得到了水溶液中均匀分散的硫纳米粒子,再通过水解法制备了球形的硫/二氧化钛(S/TiO2)核-壳结构纳米复合材料.X射线...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 以氯化铅(PbCl2)和升华硫(S)为前驱体,油胺为溶剂,使用热注入方法制备PbS量子点(QD)/多壁碳纳米管(MWCNT)异质结材料.对PbS QD/MWCNT复合纳米材料进行形貌、结构和...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 采用化学共沉淀法制备了Al质量分数分别为0％,7％,9％和11％的掺杂Zn (OH)2,以及固定Al质量分数为9％,掺入不同质量分数Sn的Zn (OH)2,经500,700和900℃退火后,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 在一维光子晶体(1D PC)结构中心掺杂单个缺陷层,采用传输矩阵法,通过Fortran语言编程进行数值计算,获得了中心掺杂单缺陷层一维光子晶体透射谱;分析并讨论了改变缺陷层折射率值(n'2,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 由中北大学研制的MEMS仿生矢量水听器具有低频、高灵敏度等性能特点,但由于纤毛柱体采用二次集成工艺集成在MEMS微结构上,常出现纤毛二次集成倾斜偏差,而且,该偏差严重影响到矢量水听器两轴输出...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型MEMS开关结构,其驱动电压可低于5V,与驱动电压几十伏的静电型开关相比,应用时无需增加电荷泵等升压电路.开关活动电极含有软磁性材料,可在平面线圈磁场作用下...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机设备原理,研究了SF6+O2氛围下,不同偏置电源功率、射频(RF)天线功率以及O2和SF6流量比率等工艺参数变化对NLD设备刻蚀SiC的影响;并研究...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响.针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件性能有很大危害,而且会降低器件可靠性.对CMP过程中C...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 设计了一种用于3.3 kV 4H-SiC肖特基二极管的场限环(FLR)结终端保护结构.该结终端保护结构是通过在高能离子注入形成二极管p+有源区的同时在结边缘形成多个不同间距的p+场限环来实现...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 主要研究了THz量子级联激光器注入区结构的隧穿特性.通过量子力学方程设计出透射率最大的注入区结构.模拟结果表明,周期间势垒宽度为4.7 nm时,注入区的透射率最大.对于含有此注入区的QCL结...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 为了改善薄膜太阳电池表面抗反射特性,提高其对光的吸收率,在玻璃基体上制备了一种新的微纳抗反射结构,即微半球孔阵列,其周期约为10 μm、深度约5μm.测试了微半球孔阵列结构的光学特性,得到这...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 针对聚吡咯(PPy)功能薄膜在三维微结构上很难均匀电沉积,易出现MEMS超级电容器阴阳极黏连、接触等失效现象,通过控制吡咯(Py)单体与苯磺酸钠(BSNa)溶液的配比与循环伏安扫描速度,探索...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用磁控溅射法在石英衬底上制备出结晶性良好的氧化锌薄膜,并在氧气气氛中不同温度(100～800℃)下进行退火处理.然后利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及椭偏仪对其结晶性能...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料.X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 具有高能量输出密度的自我供电振动能量采集技术有着迫切的应用需求,是智能化MEMS器件系统发展的重要方向.研究了一种可将外界环境振动能转化为电能的MEMS压电-磁电复合振动能量采集器,其综合了...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 提出了一种适合低阻尼MEMS压阻加速度传感器频率特性的测试方法,可较为快捷地获得传感器谐振频率和阻尼比等频率特性.首先介绍了该方法的理论依据和计算方法,然后介绍了典型测试系统构成和测试结果,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 原子层沉积(ALD)技术是一种三维共形沉积金属薄膜或金属纳米结构的有效手段.简要介绍了ALD技术的基本原理和特点,着重阐述和比较了ALD生长贵金属、过渡金属和活泼金属的不同工艺条件、化学过程...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用一种超声焊接工艺,通过施加纳米幅度的超声水平振动将金刚石颗粒牢固地焊接于硅基底表面.在此过程中超声力小于硅所能承受的剪切应力,使硅表面得以发生超声软化进而促成焊接的形成.焊接界面的分析结...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 以采用改进无皂乳液聚合法制备的纳米尺寸聚苯乙烯(PS)微球为内核,采用原位化学沉淀法制备了不同壳层厚度的PS/CeO2核/壳包覆结构复合微球.将所制备的复合颗粒用于二氧化硅介质层的化学机械抛...
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24. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年2期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 背景电荷是影响两点量子元胞自动机电路可靠性的一个重要因素.为了量化分析不同区域内背景电荷对两点量子元胞自动机信息正确传输概率的影响,建立了两点量子元胞自动机状态转换的概率模型,求解出目标元胞...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 利用溶胶凝胶和氢气还原的方法合成出Fe/SnO2纳米颗粒.通过催化裂解乙炔的方法,可在该纳米颗粒表面合成出高产率、高选择性的碳纳米纤维.研究表明温度对所合成碳纳米纤维的产率、尺寸和微结构有着...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 由于贵金属纳米颗粒/石墨烯复合基底可为喇曼光谱分析技术提供灵敏度高、稳定性好、生物相容性好的基底而备受关注.首先从电磁原理和化学原理两个角度出发,系统地探讨了贵金属纳米颗粒/石墨烯复合基底表...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 纳米磁性结构内磁矩翻转动态特性对于磁存储以及自旋电子学的研究具有十分重要的意义.基于Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG)方程,研究了垂直磁各向异性(PMA)磁隧道结(M...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 提出了一种基于微机电系统(MEMS)开关的射频衰减器的设计方案.首先在DC～20 GHz内,以10 dB衰减量为目标,对整体电路结构进行设计,选择以共面波导(CPW)为传输线,接触式MEMS...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 采用高精度数值算法计算微米级圆管中幂律流体在交流电场驱动下的电势及速度分布.基于完全Poisson-Boltzmann方程和修正的Cauchy动量方程,采用四阶紧致差分和三阶Runge-Ku...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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