ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究

• 作者: 刘玉岭 刘立威 蔡冰祁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: ULSI 化学机械抛光 Si SiO2 温度
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 27-28
• 页数: 2页
• 分类号: TN405.3
• 字数: 2072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.03.007

摘要

对ULSI制备中Si、SiO2等CMP工艺技术条件,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度(抛光雾)进行了深入研究,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理,确定了低温、快速率、大流量的新的技术方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭		263	1540	17.0	22.0
2	蔡冰祁		1	6	1.0	1.0
3	刘立威		3	18	3.0	3.0