组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征

• 作者: 于卓 余金中 张春晖 成步文 李代宗 王启明 王红杰 黄昌俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超高真空化学气相淀积 SiGe Raman散射 俄歇电子能谱 X射线双晶衍射
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1111-1115
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.11.014

摘要

采用阶跃式GeH4流量增加和温度降低的方法,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的SiGe缓冲层,并在其上生长出了驰豫的Si0.68Ge0.32外延层.俄歇电子能谱证实缓冲层Ge组份呈线性渐变.Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为32%,与X射线双晶衍射结果符合得很好.腐蚀的样品观察到沿两个〈110〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为5×107/cm2.分析了位错团产生的原因.