硅片清洗研究进展

• 作者: 储佳 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光硅片 超大规模集成电路 清洗
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 17-19，34
• 页数: 4页
• 分类号: TN604|TN601
• 字数: 4024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.03.005

摘要

综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展；着重指出了，改进的RCA1对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理，讨论了它与清洗顺序的关系；极度稀释的RCA2能使金属沾污降至1010原子/cm2以下，且不易使颗粒重新沉淀；最后介绍了清洗工艺的最新进展。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	储佳	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	66	3.0	5.0