氮化镓基固态器件的研究进展

• 作者: 李效白
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 发光管 激光管 场效应管 异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 20-25
• 页数: 6页
• 分类号: TN303
• 字数: 5423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.05.007

摘要

GaN是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料,具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度.本文着重阐述了宽禁带Ⅲ-V族化合物半导体器件的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李效白		1	0	0.0	0.0