PECVD法低温形成SiOxNy介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

• 作者: 冯文修 刘剑 刘小阳 张昊 王锋 陈蒲生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiOxNy薄介质膜 俄歇电子能谱 红外吸收光谱 微观组分:电学性能
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 测试与技术
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5|TN305
• 字数: 2616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.07.021

摘要

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张昊		9	44	4.0	6.0
2	陈蒲生	华南理工大学应用物理系	15	21	2.0	3.0
3	刘剑	华南理工大学应用物理系	19	147	7.0	12.0
4	冯文修	华南理工大学应用物理系	10	10	2.0	2.0
5	刘小阳	华南理工大学机电工程系	5	6	1.0	1.0
6	王锋		2	3	1.0	1.0