反应磁控溅射ZnO薄膜的高温退火研究

• 作者: 叶志镇 吕建国 汪雷 赵炳辉 陈汉鸿
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 直流反应磁控溅射 应力转变 间隙锌原子 氧空位
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 467-469,449
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 1338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.06.017

摘要

ZnO薄膜足一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接能带化合物半导体材料,有可能实现短波长的探测器,LED和D等光电子器件.用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配,以及由于较快的生长速率,薄膜中存在较多的Zn间隙原子和O空位,在薄膜中存在应力.通过高温退火,可以使应力得到弛豫,降低O空位和Zn间隙原子的浓度,提高薄膜的化学计量比和改善薄膜的结晶质量.本实验用XRD和AFM研究了高温退火对ZnO薄膜的晶体性能和表面的影响.对ZnO薄膜在退火处理后c轴方向的应力性质的转变作了机理上的探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0
4	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0
5	陈汉鸿	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	252	5.0	6.0