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摘要:
ZnO因其制备成本低和优异的压电性能在薄膜体声波器件中得到广泛应用.本文采用射频反应磁控溅射法,以Au为底电极,在硅(100)衬底上沉积了氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、 原子力显微镜(AFM)、 台阶仪对不同工艺参数下制得薄膜的晶体结构、 表面形貌和厚度进行了表征.研究了溅射功率、 溅射气压和溅射气氛对ZnO薄膜结构影响,讨论了溅射功率和薄膜形貌及厚度的关系.结果显示在溅射功率为200 W、 溅射气压0.8 Pa、 氧氩体积流量比为0.4时,ZnO薄膜的c轴取向性最高,表面粗糙度最低,可用于压电器件.
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结晶性
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 ZnO薄膜 反应溅射 晶体结构 溅射工艺 表面形貌 薄膜厚度
年,卷(期) 2018,(6) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 18-22
页数 5页 分类号 TN304
字数 2931字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.06.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许绍俊 川庆钻探工程有限公司地质勘探开发研究院 4 2 1.0 1.0
2 常鸿 3 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
反应溅射
晶体结构
溅射工艺
表面形貌
薄膜厚度
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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