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摘要:
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基于90nm SOI CMOS工艺的24GHz信号发生器
SOI CMOS
功率放大器
信号发生器
用TCAD进行IC新工艺的开发
虚拟FAB
工艺辅助设计
高压BCD工艺
用铜精矿生产硫酸铜的新工艺
铜精矿
复配添加剂
硫酸铜
热障涂层金属元素扩散阻挡层研究进展
扩散阻挡层
热障涂层
界面
扩散
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 130nm/90nm新工艺开发用的铜CMP阻挡层浆料系统
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 专题报道(芯片生产工艺技术)
研究方向 页码范围 47-48,57
页数 3页 分类号 TN3
字数 语种 中文
DOI
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传播情况
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2003(0)
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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24788
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